ZHCSQF3B april 2022 – june 2023 TPSI2140-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 Revision History
- 5 Pin Configuration and Functions
- 6 Specifications
- 7 Parameter Measurement Information
- 8 Detailed Description
- 9 Application and Implementation
- 10Device and Documentation Support
- 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DWQ|11
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
3 說(shuō)明
TPSI2140-Q1 是一款隔離式固態(tài)繼電器，專為高電壓汽車和工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。TPSI2140-Q1 與 TI 具有高可靠性的電容隔離技術(shù)和內(nèi)部背對(duì)背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解決方案，無(wú)需次級(jí)側(cè)電源。
該器件的初級(jí)側(cè)僅由 9mA 的輸入電流供電，并集成了一個(gè)失效防護(hù) EN 引腳，可防止對(duì) VDD 電源反向供電的任何可能性。在大多數(shù)應(yīng)用中，器件的 VDD 引腳應(yīng)連接到 5V 至 20V 的系統(tǒng)電源，并且器件的 EN 引腳應(yīng)由邏輯高電平介于 2.1V 至 20V 之間的 GPIO 輸出驅(qū)動(dòng)。在其他應(yīng)用中，VDD 和 EN 引腳可直接由系統(tǒng)電源或 GPIO 輸出驅(qū)動(dòng)。TPSI2140-Q1 的所有控制配置都不需要光繼電器解決方案通常所需的其他外部元件，例如電阻器和/或低側(cè)開(kāi)關(guān)。
次級(jí)側(cè)都包含背對(duì)背 MOSFET，從 S1 至 S2 的關(guān)斷電壓為 ±1.2 kV。TPSI2140-Q1 MOSFET 的雪崩穩(wěn)健性和熱敏感封裝設(shè)計(jì)使其能夠可靠地支持系統(tǒng)級(jí)電介質(zhì)耐壓測(cè)試 (HiPot)，并且無(wú)需任何外部元件即可承受高達(dá) 2mA 的直流快速充電器浪涌電流。
| 器件型號(hào) | 封裝(1) | 封裝尺寸（標(biāo)稱值） |
|---|---|---|
| TPSI2140-Q1 | SOIC 11 引腳 (DWQ) | 10.3mm × 7.5mm |
TPSI2140-Q1 簡(jiǎn)化版應(yīng)用原理圖