ZHCSYC9 May 2025 TPS7H4012-SEP , TPS7H4013-SEP
ADVMIX
有時,HS1 電流限值不足以保護(hù)器件。例如,短路可能會非常激進(jìn),即使高側(cè)僅在最短導(dǎo)通時間 tON 內(nèi)開啟,電流也會繼續(xù)上升。為降低這種風(fēng)險,TPS7H401x 實施了高側(cè)過流保護(hù) 2 (HS2) 形式的次級過流保護(hù)。
當(dāng)通過高側(cè) MOSFET 的電流達(dá)到或超過 IOC_HS2 時,達(dá)到 HS2 電流限值。為了防止電流持續(xù)增加,將跳過接下來的四個高側(cè)周期,而低側(cè) MOSFET 保持導(dǎo)通狀態(tài),以便對電感器進(jìn)行放電。圖 9-10 展示了此操作的簡化波形。
高側(cè) 2 過流保護(hù) (HS2) 閾值對于 TPS7H4012 通常為 11.8A,對于 TPS7H4013 通常為 6.8A。
與 IOC_HS1 電流限制類似,IOC_HS2 的限制閾值也是在開環(huán)配置下測量的,這是由于測試能力的限制,而實際的短路事件是動態(tài)的并且發(fā)生在閉環(huán)系統(tǒng)中