ZHCSS56 January 2024 TPS7A20L
PRODUCTION DATA
熱關(guān)斷保護(hù)電路可在導(dǎo)通晶體管的結(jié)溫 (TJ) 上升到 TSD(shutdown)（典型值）時(shí)禁用 LDO。熱關(guān)斷遲滯可確保在溫度降至 TSD(reset)（典型值）時(shí)器件復(fù)位（導(dǎo)通）。
半導(dǎo)體芯片的熱時(shí)間常數(shù)相當(dāng)短，因此當(dāng)達(dá)到熱關(guān)斷時(shí)，器件可以循環(huán)開關(guān)，直到功率耗散降低。由于器件上的 VIN – VOUT 壓降較大，或?yàn)榇笮洼敵鲭娙萜鞒潆姷睦擞侩娏鬏^高，啟動(dòng)期間的功率耗散可能較高。在某些情況下，熱關(guān)斷保護(hù)功能會(huì)在啟動(dòng)完成之前禁用器件。
為了實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)行，請(qǐng)將結(jié)溫限制在建議運(yùn)行條件 表中列出的最大值。在超過這個(gè)最高溫度的情況下運(yùn)行會(huì)導(dǎo)致器件超出運(yùn)行規(guī)格。雖然器件的內(nèi)部保護(hù)電路旨在防止熱過載情況，但此電路并不用于替代適當(dāng)?shù)纳?。使器件持續(xù)進(jìn)入熱關(guān)斷狀態(tài)或在超過建議的最高結(jié)溫下運(yùn)行會(huì)降低長(zhǎng)期可靠性。