ZHCSIN0K August 2018 – July 2025 TPS62810-Q1 , TPS62811-Q1 , TPS62812-Q1 , TPS62813-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測量信息
- 8 詳細說明
- 9 應(yīng)用和實施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RWY|9
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RWY|9
訂購信息
8.3.2 COMP/FSET
此引腳可獨立設(shè)置兩個不同的參數(shù)：
- 控制環(huán)路的內(nèi)部補償設(shè)置
- PWM 模式下的開關(guān)頻率為 1.8MHz 至 4MHz
在 COMP/FSET 與 GND 之間連接的電阻器可以改變補償和開關(guān)頻率。補償?shù)淖兓试S您使該器件能夠適應(yīng)不同的輸出電容值。該電阻器必須靠近引腳放置，以使引腳上的寄生電容盡可能小。補償設(shè)置在轉(zhuǎn)換器啟動時被采樣，因此在運行過程中更換該電阻器只會影響開關(guān)頻率，而對補償沒有影響。
為了節(jié)省外部元件，該引腳也可直接連接到 VIN 或 GND，以設(shè)置預(yù)定義的開關(guān)頻率/補償。請勿將此引腳懸空。
必須根據(jù)輸入電壓和輸出電壓選擇開關(guān)頻率，以滿足最短導通時間和最短關(guān)斷時間規(guī)格。
例如：VIN = 5V，VOUT = 1V --> 占空比 (DC) = 1V / 5V = 0.2
- 其中 ton = DC × T --> ton,min = 1 / fs,max × DC
- --> fs,max = 1 / ton,min × DC = 1 / 0.075μs · 0.2 = 2.67MHz
補償范圍必須根據(jù)所用的最小電容來選擇。在所有三個補償范圍內(nèi)，可以將電容從表 8-1 和表 8-2 中給出的最小值增大到 470μF 的最大值。如果輸出的電容在運行期間發(fā)生變化，例如當負載開關(guān)用于連接或斷開電路的某些部分時，必須為輸出上的最小電容選擇補償。對于大輸出電容，必須基于該大電容進行補償，以獲得出色的負載瞬態(tài)響應(yīng)。如果補償較大的輸出電容，但在輸出端放置較小的電容，則可能會導致不穩(wěn)定。
不同補償設(shè)置的開關(guān)頻率由以下公式確定。
對于補償設(shè)置 1：
對于補償設(shè)置 2：
對于補償設(shè)置 3：
| 補償 | RCF | 開關(guān)頻率 | VOUT < 1V 時的 最小輸出 電容 | 1V ≤ VOUT < 3.3V 時的 最小輸出 電容 | VOUT ≥ 3.3V 時的 最小輸出 電容 |
|---|---|---|---|---|---|
| 對于最小輸出電容 （補償設(shè)置 1） | 10kΩ...4.5kΩ | 1.8MHz (10kΩ) ...4MHz (4.5kΩ) （根據(jù)方程式 1） | 53μF | 32μF | 27μF |
| 對于中輸出電容 （補償設(shè)置 2） | 33kΩ ...15kΩ | 1.8MHz (33kΩ) ...4MHz (15kΩ) （根據(jù)方程式 2） | 100μF | 60μF | 50μF |
| 對于大輸出電容 （補償設(shè)置 3） | 100kΩ ...45kΩ | 1.8MHz (100kΩ) ...4MHz (45kΩ) （根據(jù)方程式 3） | 200μF | 120μF | 100μF |
| 對于最小輸出電容 （補償設(shè)置 1） | 連接至 GND | 內(nèi)部固定 2.25MHz | 53μF | 32μF | 27μF |
| 對于大輸出電容 （補償設(shè)置 3） | 連接至 VIN | 內(nèi)部固定 2.25MHz | 200μF | 120μF | 100μF |
| 補償 | RCF | 開關(guān)頻率 | VOUT < 1V 時的 最小輸出電容 | 1V ≤ VOUT < 3.3V 時的 最小輸出電容 | VOUT ≥ 3.3V 時的 最小輸出電容 |
|---|---|---|---|---|---|
| 對于最小輸出電容 （補償設(shè)置 1） | 10kΩ...4.5kΩ | 1.8MHz (10kΩ) ...4MHz (4.5kΩ) （根據(jù)方程式 1） | 30μF | 18μF | 15μF |
| 對于中輸出電容 （補償設(shè)置 2） | 33kΩ ...15kΩ | 1.8MHz (33kΩ) ...4MHz (15kΩ) （根據(jù)方程式 2） | 60μF | 36μF | 30μF |
| 對于大輸出電容 （補償設(shè)置 3） | 100kΩ ...45kΩ | 1.8MHz (100kΩ) ...4MHz (45kΩ) （根據(jù)方程式 3） | 130μF | 80μF | 68μF |
| 對于最小輸出電容 （補償設(shè)置 1） | 連接至 GND | 內(nèi)部固定 2.25MHz | 30μF | 18μF | 15μF |
| 對于大輸出電容 （補償設(shè)置 3） | 連接至 VIN | 內(nèi)部固定 2.25MHz | 130μF | 80μF | 68μF |
有關(guān)所需輸出電容（取決于輸出電壓）的更多詳細信息，請參閱節(jié) 9.1.3.2。
對于 RCF，過高的電阻值會被解讀為“連接至 VIN”，而低于最低范圍的值則被解讀為“連接至 GND”。表 8-1 和表 8-2 中的最小輸出電容適用于靠近器件輸出端的電容器。如果電容是分布式的，可能需要較低的補償設(shè)置。所有值均為有效電容，包括所有容差、老化、直流偏置效應(yīng)等。