ZHCSS25B November 2023 – July 2024 TPS548D26
PRODUCTION DATA
當(dāng)工作模式設(shè)置為 DCM 時(shí),該器件會(huì)自動(dòng)降低輕負(fù)載條件下的開(kāi)關(guān)頻率,以保持高效率。本節(jié)詳細(xì)介紹該運(yùn)行模式。
隨著輸出電流從重負(fù)載條件下減小,電感器電流也會(huì)減小,直到電感器電流的紋波谷值達(dá)到零電平。零電平是連續(xù)導(dǎo)通模式和不連續(xù)導(dǎo)通模式之間的邊界。當(dāng)檢測(cè)到該電感器電流為零時(shí),同步 MOSFET 會(huì)關(guān)斷。隨著負(fù)載電流進(jìn)一步降低,轉(zhuǎn)換器會(huì)進(jìn)入不連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM)。導(dǎo)通時(shí)間保持在與連續(xù)導(dǎo)通模式運(yùn)行期間大致相同的水平,因此以較小的負(fù)載電流將輸出電容器放電至基準(zhǔn)電壓電平需要更多的時(shí)間。使用以下公式計(jì)算輕負(fù)載運(yùn)行 IOUT(LL) 的轉(zhuǎn)換點(diǎn)(例如,連續(xù)和斷續(xù)導(dǎo)通模式之間的閾值)。

其中
TI 建議使用低 ESR 電容器(例如陶瓷電容器)來(lái)實(shí)現(xiàn)跳躍模式。