ZHCSS25B November 2023 – July 2024 TPS548D26
PRODUCTION DATA
選擇輸入電容器應(yīng)該減少輸入電壓紋波和高頻旁路，從而降低器件內(nèi)部功率級(jí) MOSFET 的開關(guān)應(yīng)力。本例中，必須將 0.1μF、25V 的 0402 陶瓷電容器放置在盡可能靠近器件引腳 20 的位置，與 PCB 上的 IC 位于同一層。此外，還使用 6 個(gè) 10μF 陶瓷電容器，并在輸入端使用可選的 270μF 大容量電容器。