ZHCSSM3A July 2024 – April 2025 TPS546E25
PRODUCTION DATA
TPS546E25 器件使用過零 (ZC) 電路在跳躍模式期間執(zhí)行零電感器電流檢測(cè)。在低側(cè) MOSFET 關(guān)閉之前，將 ZC 閾值設(shè)置為較小的負(fù)值，從而進(jìn)入不連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM) 運(yùn)行。進(jìn)入 DCM 后，ZC 閾值遲滯會(huì)在進(jìn)入 DCM 后將閾值增大到一個(gè)較小的正值。因此，該器件可提供更高的輕負(fù)載效率。
當(dāng)負(fù)載電流增加到足以使器件退出 DCM 時(shí)，ZC 電路必須檢測(cè)到 16 個(gè)連續(xù)周期內(nèi)負(fù)電感器電流低于 ZC 閾值，然后再返回 DCM。只需一個(gè)沒有 ZC 檢測(cè)的周期，即可退出 DCM。
在軟啟動(dòng)期間(61h) TON_RISE，ZC 電路始終處于禁用狀態(tài)，并且
TPS546E25 以 FCCM 運(yùn)行模式啟動(dòng)。如果在(61h) TON_RISE完成后檢測(cè)到 16 個(gè)連續(xù)周期的負(fù)電感器電流，并且未通過引腳編程或(D1h) SYS_CFG_USER1編程選擇 FCCM 模式，則 TPS546E25 能夠進(jìn)入 DCM 運(yùn)行模式