ZHCSRU9A July 2024 – September 2025 TPS546C25
PRODUCTION DATA
當(dāng)工作模式設(shè)置為 DCM 時，該器件會自動降低輕負(fù)載條件下的開關(guān)頻率，以保持高效率。本節(jié)詳細(xì)介紹該運(yùn)行模式。
隨著輸出電流從重負(fù)載條件下減小，電感器電流也會減小，直到電感器電流的紋波谷值達(dá)到零電平。零電平是連續(xù)導(dǎo)通模式和不連續(xù)導(dǎo)通模式之間的邊界。當(dāng)檢測到該電感器電流為零時，同步 MOSFET 會關(guān)斷。隨著負(fù)載電流進(jìn)一步降低，轉(zhuǎn)換器會進(jìn)入不連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM)。導(dǎo)通時間保持在與連續(xù)導(dǎo)通模式運(yùn)行期間大致相同的水平，因此以較小的負(fù)載電流將輸出電容器放電至基準(zhǔn)電壓電平需要更多的時間。輕負(fù)載運(yùn)行條件下的 IOUT(LL) 的轉(zhuǎn)換點（例如，連續(xù)導(dǎo)通模式和不連續(xù)導(dǎo)通模式之間的閾值）的計算方法如以下公式所示。
其中
在 DCM 模式下，負(fù)載電流小于 IOUT(LL) 時，降低的開關(guān)頻率通過以下方式得出：
負(fù)載運(yùn)行時的輸出電壓峰峰值紋波會增加，在空載時達(dá)到高達(dá) 4 倍的連續(xù)傳導(dǎo)紋波電壓。
TI 建議使用低 ESR 電容器（例如陶瓷電容器）來實現(xiàn)跳躍模式。