ZHCSU77A December 2023 – September 2024 TPS281C100
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
當(dāng)關(guān)斷電感負(fù)載時(shí),由于電感特性,輸出電壓下拉至負(fù)值。如果在電流衰減期間沒(méi)有對(duì)電壓進(jìn)行鉗位,則功率 FET 可能會(huì)擊穿。在這種情況下,為了保護(hù)功率 FET,請(qǐng)?jiān)趦?nèi)部鉗制漏源電壓,即 VDS,clamp(漏極和柵極之間的鉗位二極管)。
在電流衰減期間 (TDECAY),功率 FET 導(dǎo)通以進(jìn)行電感能量耗散。電源 (ES) 和負(fù)載 (ELOAD) 的能量都消耗在高側(cè)電源開(kāi)關(guān)本身上,稱為 EHSD。如果電阻與電感串聯(lián),則部分負(fù)載能量會(huì)在電阻中耗散。
從高側(cè)電源開(kāi)關(guān)的角度來(lái)看,EHSD 等于電流衰減期間的積分值。



當(dāng) R 大概等于 0 時(shí),EHSD 可以簡(jiǎn)單地表示為:

如前所述,關(guān)斷時(shí),電池能量和負(fù)載能量會(huì)在高側(cè)電源開(kāi)關(guān)上耗散,這會(huì)導(dǎo)致熱變化較大。對(duì)于每個(gè)高側(cè)電源開(kāi)關(guān),最大安全功率耗散的上限取決于器件的固有容量、環(huán)境溫度和電路板功耗條件。