ZHCSC71F March 2014 – July 2025 TPS25200
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 參數(shù)測量信息
- 7 詳細(xì)說明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRV|6
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRV|6
訂購信息
8.2.2.2 輸入和輸出電容
輸入和輸出電容提升了器件的性能；必須針對特定的應(yīng)用對實(shí)際電容進(jìn)行優(yōu)化。對于所有應(yīng)用，為了實(shí)現(xiàn)本地噪聲去耦，建議在 IN 和 GND 之間盡可能靠近器件的位置上安裝一個(gè) 0.1μF 或更大的陶瓷旁路電容器。
當(dāng) VIN 斜升超過 7.6V 時(shí)，VOUT 跟隨 VIN，直到 TPS25200在 t(OVLO_off_delay) 之后關(guān)斷內(nèi)部 MOSFET。t(OVLO_off_delay) 在很大程度上取決于 VIN 斜升速率，因此 VOUT 會遇到某個(gè)峰值電壓。增大輸出電容可以降低輸出峰值電壓，如 圖 8-3 所示。
圖 8-3 VOUT 峰值電壓與 COUT 間的關(guān)系（VIN 以 1V/μs 斜升速率從 5V 階躍至 15V）