ZHCSC71F March 2014 – July 2025 TPS25200
PRODUCTION DATA
內(nèi)部 N 溝道 MOSFET 的低導(dǎo)通電阻允許大電流通過小型表面貼裝封裝。估算功率耗散和結(jié)溫是一種良好的設(shè)計(jì)實(shí)踐。在以下分析中，根據(jù)封裝中的功率耗散計(jì)算結(jié)溫的近似值。但是，需要注意的是，熱分析在很大程度上取決于其他系統(tǒng)級(jí)因素。此類因素包括氣流、電路板布局布線、覆銅厚度和表面積，以及與其他功率耗散器件的接近程度。良好的熱設(shè)計(jì)實(shí)踐除了涉及單個(gè)元件分析外，還必須考慮所有系統(tǒng)級(jí)因素。從確定與輸入電壓和運(yùn)行溫度相關(guān)的 N 通道 MOSFET 的 rDS(on)開始。開始估算時(shí)，使用感興趣的最高運(yùn)行環(huán)境溫度并從典型特征圖中讀取 rDS（導(dǎo)通）值。當(dāng) VIN 低于 V(OVC) 時(shí)，TPS2500 是一種傳統(tǒng)的電源開關(guān)。使用該值，功率耗散可以用 方程式 8 來計(jì)算。
當(dāng) VIN 超過 V(OVC) 但低于 V(OVLO) 時(shí)，TPS25200 將輸出鉗位到固定的 V(OVC)，功率耗散可使用 方程式 9 來計(jì)算。
其中
此步驟用來計(jì)算 N 溝道 MOSFET 的總功率耗散。
最后，使用 方程式 10 計(jì)算結(jié)溫。
其中
將計(jì)算得出的結(jié)溫與初始估算值進(jìn)行對比。如果它們間的差異較大，使用之前計(jì)算中得到的“精確” rDS（導(dǎo)通）作為全新的估算值進(jìn)行重復(fù)計(jì)算。通常，二次或三次迭代就足以達(dá)到所需結(jié)果。最終的結(jié)溫在很大程度上取決于熱阻 θJA，而熱阻在很大程度上取決于獨(dú)立封裝和電路板布局布線。