ZHCSQN2A December 2023 – December 2024 TPS1200-Q1
PRODUCTION DATA
在 CTMR 上連接一個(gè)約 100kΩ 的電阻,如所示。使用此電阻可以在充電周期內(nèi)使 CTMR 上的電壓被鉗位到低于 V(TMR_SC) 的電平,從而產(chǎn)生閉鎖行為,同時(shí)將 FLT 置為低電平有效。
使用 方程式 8 計(jì)算當(dāng) RTMR = 100kΩ 時(shí) TMR 和 GND 之間要連接的 CTMR 電容。
其中,
ITMR 是 80μA 的內(nèi)部上拉電流。
tSC 是所需的短路響應(yīng)時(shí)間。
切換 INP 或 EN/UVLO(低于 V(ENF)),或?qū)?VS 下電上電至低于 V(VS_PORF),以復(fù)位閉鎖狀態(tài)。在低邊沿上,計(jì)時(shí)器計(jì)數(shù)器復(fù)位且 CTMR 放電。當(dāng) INP 上拉至高電平時(shí),PU 上拉至 BST。