ZHCSQN2A December 2023 – December 2024 TPS1200-Q1
PRODUCTION DATA
諸如汽車配電單元之類的某些終端設(shè)備為包括其他 ECU 在內(nèi)的不同負(fù)載供電。這些 ECU 可能具有很大的輸入電容。如果 ECU 的電源以不受控制的方式打開,則可能會產(chǎn)生大浪涌電流,并可能損壞功率 FET。為了限制容性負(fù)載開關(guān)期間的浪涌電流,可對 TPS12000-Q1 使用以下系統(tǒng)設(shè)計技術(shù)。
為了在具有容性負(fù)載的 FET 開通期間限制浪涌電流,請使用 R1、R2、C1,如 圖 7-4 所示。R1 和 C1 元件會減慢 FET 柵極的電壓斜坡速率。FET 源極跟隨柵極電壓,從而在輸出電容器上實現(xiàn)受控電壓斜坡。
使用方程式 2 可以計算 FET 開通期間的浪涌電流。
其中,
CLOAD 是負(fù)載電容,
VBATT 是輸入電壓,Tcharge 是充電時間,
V(BST-SRC) 是電荷泵電壓 (11V)。
使用與 C1 串聯(lián)的阻尼電阻 R2(大約 10Ω)。方程式 3 可用于計算目標(biāo)浪涌電流所需的 C1 值。R1 的 100kΩ 電阻可以作為計算的良好起點。
將 TPS12000-Q1 的 PD 引腳直接連接到外部 FET 的柵極可確??焖訇P(guān)斷,而不會影響 R1 和 C1 元件。
C1 會在開通期間在 CBST 上產(chǎn)生額外的充電負(fù)載。使用以下公式可計算所需的 CBST 值:
其中,
Qg(total) 是 FET 的總柵極電荷。
ΔVBST(典型值為 1V)是 BST 到 SRC 引腳上的紋波電壓。