ZHCSQN2A December 2023 – December 2024 TPS1200-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 參數(shù)測量信息
- 7 詳細(xì)說明
- 8 應(yīng)用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DGX|19
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.3.2 使用 FET 柵極（PU、PD）壓擺率控制的容性負(fù)載驅(qū)動
諸如汽車配電單元之類的某些終端設(shè)備為包括其他 ECU 在內(nèi)的不同負(fù)載供電。這些 ECU 可能具有很大的輸入電容。如果 ECU 的電源以不受控制的方式打開，則可能會產(chǎn)生大浪涌電流，并可能損壞功率 FET。為了限制容性負(fù)載開關(guān)期間的浪涌電流，可對 TPS12000-Q1 使用以下系統(tǒng)設(shè)計技術(shù)。
為了在具有容性負(fù)載的 FET 開通期間限制浪涌電流，請使用 R1、R2、C1，如 圖 7-4 所示。R1 和 C1 元件會減慢 FET 柵極的電壓斜坡速率。FET 源極跟隨柵極電壓，從而在輸出電容器上實現(xiàn)受控電壓斜坡。
圖 7-4 浪涌電流限制使用方程式 2 可以計算 FET 開通期間的浪涌電流。
其中，
CLOAD 是負(fù)載電容，
VBATT 是輸入電壓，Tcharge 是充電時間，
V(BST-SRC) 是電荷泵電壓 (11V)。
使用與 C1 串聯(lián)的阻尼電阻 R2（大約 10Ω）。方程式 3 可用于計算目標(biāo)浪涌電流所需的 C1 值。R1 的 100kΩ 電阻可以作為計算的良好起點。
將 TPS12000-Q1 的 PD 引腳直接連接到外部 FET 的柵極可確?？焖訇P(guān)斷，而不會影響 R1 和 C1 元件。
C1 會在開通期間在 CBST 上產(chǎn)生額外的充電負(fù)載。使用以下公式可計算所需的 CBST 值：
其中，
Qg(total) 是 FET 的總柵極電荷。
ΔVBST（典型值為 1V）是 BST 到 SRC 引腳上的紋波電壓。