ZHCSM94D October 2020 – July 2024 TMUX6211 , TMUX6212 , TMUX6213
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測量信息
- 8 詳細說明
- 9 應(yīng)用和實施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RUM|16
訂購信息
8.3.7 超低電荷注入
TMUX621x 器件具有傳輸門拓撲結(jié)構(gòu)，如圖 8-1 所示。與 NMOS 和 PMOS 相關(guān)的雜散電容中的任何不匹配都會在開關(guān)斷開或閉合時導(dǎo)致輸出電平發(fā)生變化。
圖 8-1 傳輸門拓撲TMUX621x 包含可減少漏極 (Dx) 電荷注入的專用架構(gòu)。為了進一步減少敏感應(yīng)用中的電荷注入，可以在源極 (Sx) 上添加補償電容器 (Cp)。這將確保開關(guān)轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的多余電荷被推入源極 (Sx) 而非漏極 (Dx) 上的補償電容器。通常，Cp 應(yīng)比漏極 (Dx) 等效負載電容大 20 倍。圖 8-2 展示了源極側(cè)不同補償電容器的電荷注入變化。該圖是在 TMUX62xx 系列中的 TMUX6219 上捕獲的，負載電容為 100pF。
圖 8-2 電荷注入補償