ZHCSIT7B September 2018 – August 2025 TMUX6119
PRODUCTION DATA
TMUX6119 具有簡單的傳輸門拓撲。NMOS 和 PMOS 晶體管之間電容的任何不匹配都會導(dǎo)致在柵極信號的下降沿或上升沿期間向漏極或源極注入電荷。注入器件源極或漏極的電荷量稱為電荷注入,用符號 QINJ 表示。圖 7-7 和圖 7-8 展示了用于測量從源極到漏極以及從漏極到源極的電荷注入的設(shè)置。從源極到漏極方向?qū)?TMUX6119 的電荷注入進行了優(yōu)化設(shè)計。