ZHCSIT7B September 2018 – August 2025 TMUX6119
PRODUCTION DATA
TMUX6119 采用簡單的傳輸門拓?fù)鋵?shí)現(xiàn),如圖 7-15 所示。與 NMOS 和 PMOS 相關(guān)的雜散電容中的任何不匹配都會(huì)在開關(guān)斷開或閉合時(shí)導(dǎo)致輸出電平發(fā)生變化。
圖 7-15 傳輸門拓?fù)?/span>TMUX6119 利用特殊的電荷注入消除電路,可將源極(SA 或 SB)至漏極 (D) 的電荷注入降低至最低 0.19pC(在 VS = 0V 條件下),如圖 7-16 所示。
圖 7-16 電荷注入與源極電壓間的關(guān)系當(dāng)器件用作多路信號(hào)分離器時(shí),漏極 (D) 至源極(SA 或 SB)的電荷注入變得非常重要,其中 D 成為輸入,Sx 成為輸出。圖 7-17 展示了整個(gè)信號(hào)范圍內(nèi)的漏極至源極的電荷注入。
圖 7-17 電荷注入與漏極電壓間的關(guān)系