ZHCSIN7F August 2018 – July 2025 TMUX6111 , TMUX6112 , TMUX6113
PRODUCTION DATA
TMUX6111, TMUX6112, and TMUX6113 采用簡單的傳輸門拓撲結構實現(xiàn)，如圖 8-7 所示。與 NMOS 和 PMOS 相關的雜散電容中的任何不匹配都會在開關斷開或閉合時導致輸出電平發(fā)生變化。這些器件利用特殊的電荷注入消除電路，可將源極 (Sx) 至漏極 (Dx) 的電荷注入降低至最低 0.6pC（在 VS = 0V 條件下），如圖 8-13 所示。
