ZHCSIN7F August 2018 – July 2025 TMUX6111 , TMUX6112 , TMUX6113
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測(cè)量信息
- 8 詳細(xì)說(shuō)明
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RTE|16
訂購(gòu)信息
8.1.6 電荷注入
TMUX6111, TMUX6112, and TMUX6113 具有簡(jiǎn)單的傳輸門(mén)拓?fù)洹MOS 和 PMOS 晶體管之間電容的任何不匹配都會(huì)導(dǎo)致在柵極信號(hào)的下降沿或上升沿期間向漏極或源極注入電荷。注入器件源極或漏極的電荷量稱為電荷注入，用符號(hào) QINJ 表示。圖 8-6 顯示了用于測(cè)量電荷注入的設(shè)置。
圖 8-6 電荷注入測(cè)量設(shè)置