ZHCSNR3E May 2022 – September 2024 TMUX4051 , TMUX4052 , TMUX4053
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測量信息
- 8 詳細(xì)說明
- 9 應(yīng)用和實現(xiàn)
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- BQB|16
訂購信息
7.8 電荷注入
NMOS 和 PMOS 晶體管之間電容的任何不匹配都會導(dǎo)致在柵極信號的下降沿或上升沿期間向漏極或源極注入電荷。注入器件源極或漏極的電荷量稱為電荷注入，用符號 QC 表示。圖 7-8 顯示了用于測量從源極 (Sx) 到漏極 (D) 的電荷注入的設(shè)置。
圖 7-8 電荷注入測量設(shè)置