ZHCSWN5A June 2024 – June 2025 TMUX1308A-Q1 , TMUX1309A-Q1
PRODUCTION DATA
TMUX1308A-Q1 和 TMUX1309A-Q1 器件具有傳輸門拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。NMOS 和 PMOS 晶體管之間電容的任何不匹配都會導(dǎo)致在柵極信號的下降沿或上升沿期間向漏極或源極注入電荷。注入器件源極或漏極的電荷量稱為電荷注入,用符號 QC 表示。圖 7-7 展示了用于測量從源極 (Sx) 到漏極 (D) 的電荷注入的設(shè)置。
圖 7-7 電荷注入測量設(shè)置