ZHCSM20A June 2021 – June 2025 TMCS1100-Q1
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 輸出 | ||||||
| 靈敏度(7) | TMCS1100A1-Q1 | 50 | mV/A | |||
| TMCS1100A2-Q1 | 100 | mV/A | ||||
| TMCS1100A3-Q1 | 200 | mV/A | ||||
| TMCS1100A4-Q1 | 400 | mV/A | ||||
| 靈敏度誤差 | 0.05V ≤ VOUT ≤ VS – 0.2V，TA = 25oC | ±0.2% | ±0.7% | |||
| 靈敏度誤差，包括壽命和環(huán)境漂移(5) | 0.05V ≤ VOUT ≤ VS – 0.2V，TA = 25oC | -0.47% | ±1.02% | |||
| 靈敏度誤差 | 0.05V ≤ VOUT ≤ VS – 0.2V，TA = –40oC 至 +85oC | ±0.4% | ±0.85% | |||
| 0.05V ≤ VOUT ≤ VS – 0.2V，TA = –40oC 至 +125oC | ±0.5% | ±1.15% | ||||
| 非線性誤差 | VOUT = 0.5V 至 VS - 0.5V | ±0.05% | ||||
| VOE | 輸出電壓失調(diào)誤差(1) | TMCS1100A1-Q1 | ±0.4 | ±3 | mV | |
| TMCS1100A2-Q1 | ±0.6 | ±5 | mV | |||
| TMCS1100A3-Q1 | ±0.8 | ±8 | mV | |||
| TMCS1100A4-Q1 | ±2.2 | ±19 | mV | |||
| 輸出電壓溫漂 | TMCS1100A1-Q1，TA = –40°C 至 125°C | ±3.7 | ±12 | μV/℃ | ||
| TMCS1100A2-Q1，TA = –40°C 至 125°C | ±4 | ±19 | μV/℃ | |||
| TMCS1100A3-Q1，TA = –40°C 至 125°C | ±8.2 | ±35 | μV/℃ | |||
| TMCS1100A4-Q1，TA = –40°C 至 125°C | ±26 | ±138 | μV/℃ | |||
| IOS | 失調(diào)電壓誤差，RTI(1)(3) | TMCS1100A1-Q1 | ±8 | ±60 | mA | |
| TMCS1100A2-Q1 | ±6 | ±50 | mA | |||
| TMCS1100A3-Q1 | ±4 | ±40 | mA | |||
| TMCS1100A4-Q1 | ±5.5 | ±47.5 | mA | |||
| 失調(diào)電壓誤差溫度漂移，RTI(3) | TMCS1100A1-Q1，TA = –40°C 至 125°C | ±74 | ±240 | μA/°C | ||
| TMCS1100A2-Q1，TA = –40°C 至 125°C | ±40 | ±190 | μA/°C | |||
| TMCS1100A3-Q1，TA = –40°C 至 125°C | ±41 | ±175 | μA/°C | |||
| TMCS1100A4-Q1，TA = –40°C 至 125°C | ±65 | ±345 | μA/°C | |||
| PSRR | 電源抑制比 | TMCS1100A1-Q1 – TMCS1100A3-Q1，VS = 3V 至 5.5V，VREF = VS/2，TA= –40oC 至 +125oC | ±1 | ±2 | mV/V | |
| TMCS1100A4-Q1，VS = 4.5V 至 5.5V，VREF = VS/2，TA= –40oC 至 +125oC | ±1 | ±3 | mV/V | |||
| CMTI | 共模瞬態(tài)抗擾度 | 50 | kV/μs | |||
| CMRR | 共模抑制比，RTI(3) | 直流到 60Hz | 5 | uA/V | ||
| RVRR | 基準電壓抑制比，以輸出為基準 | TMCS1100A1-Q1 – TMCS1100A3-Q1，VREF = 0.5V 至 4.5V | 1 | 3.5 | mV/V | |
| TMCS1100A4-Q1，VREF = 0.5V 至4.5V | 1.5 | 8 | mV/V | |||
| 噪聲密度，RTI(3) | TMCS1100A1-Q1 | 380 | μA/√Hz | |||
| TMCS1100A2-Q1 | 330 | μA/√Hz | ||||
| TMCS1100A3-Q1 | 300 | μA/√Hz | ||||
| TMCS1100A4-Q1 | 225 | μA/√Hz | ||||
| 輸入 | ||||||
| RIN | 輸入導(dǎo)體電阻 | IN+ 至 IN- | 1.8 | mΩ | ||
| 輸入導(dǎo)體電阻溫度漂移 | TA= -40oC 至 +125oC | 4.4 | μ?/°C | |||
| G | 磁耦合系數(shù) | TA = 25oC | 1.1 | mT/A | ||
| IIN,max | 允許的持續(xù) RMS 電流(4) | TA = 25oC | 30 | A | ||
| TA = 85oC | 25 | A | ||||
| TA = 105oC | 22.5 | A | ||||
| TA = 125oC | 16 | A | ||||
| VREF | 基準輸入電壓 | VGND | VS | V | ||
| VREF 輸入電流 | VREF = GND，VS | ±1 | ±5 | μA | ||
| VREF 外部源阻抗 | 驅(qū)動 VREF 的外部電路的最大源阻抗 | 5 | k? | |||
| 電壓輸出 | ||||||
| ZOUT | 閉環(huán)輸出阻抗 | f = 1Hz 至 1kHz | 0.2 | ? | ||
| f = 10kHz | 2 | ? | ||||
| 最大容性負載 | 無持續(xù)振蕩 | 1 | nF | |||
| 短路輸出電流 | VOUT 接地短路，對 VS 短路 | 90 | mA | |||
| 相對于 VS 電源軌的擺幅 | RL = 10kΩ 至 GND，TA = -40oC 至 +125oC | VS - 0.02 | VS - 0.1 | V | ||
| 相對于 GND 的擺幅，電流驅(qū)動 | RL = 10kΩ 至 GND，TA = -40oC 至 +125oC | VGND + 5 | VGND + 10 | mV | ||
| 相對于 GND 的擺幅，零電流 | TMCS1100A1-Q1 – TMCS1100A3-Q1，RL = 10kΩ 至 GND，TA = –40oC 至 +125oC，VREF = GND，IIN = 0A | VGND + 5 | VGND + 20 | mV | ||
| TMCS1100A4-Q1，RL = 10kΩ 至 GND，TA = –40oC 至 +125oC，VREF = GND，IIN = 0A | VGND + 20 | VGND + 55 | mV | |||
| 頻率響應(yīng) | ||||||
| BW | 帶寬(6) | –3dB 帶寬 | 80 | kHz | ||
| SR | 壓擺率(6) | 單個瞬態(tài)階躍期間輸出放大器的壓擺率。 | 1.5 | V/μs | ||
| tr | 響應(yīng)時間(6) | 輸入電流階躍達到最終值的 90% 與傳感器輸出達到其最終值的 90% 之間的時間，用于 1V 輸出轉(zhuǎn)換。 | 6.5 | μs | ||
| tp | 傳播延遲(6) | 輸入電流階躍達到最終值的 10% 與傳感器輸出達到其最終值的 10% 之間的時間，用于 1V 輸出轉(zhuǎn)換。 | 4 | μs | ||
| tr,SC | 電流過載響應(yīng)時間(6) | 輸入電流階躍達到最終值的 90% 與傳感器輸出達到其最終值的 90% 之間的時間。輸入電流階躍振幅是滿量程輸出范圍的兩倍。 | 5 | μs | ||
| tp,SC | 電流過載傳播延遲(6) | 輸入電流階躍達到最終值的 10% 與傳感器輸出達到其最終值的 10% 之間的時間。輸入電流階躍振幅是滿量程輸出范圍的兩倍。 | 3 | μs | ||
| 電流過載恢復(fù)時間 | 從導(dǎo)致輸出飽和條件的電流結(jié)束到有效輸出的時間 | 15 | μs |
|||
| 電源 | ||||||
| IQ | 靜態(tài)電流 | TA = 25oC | 4.5 | 5.5 | mA | |
| TA = -40oC 至 +125oC | 6 | mA | ||||
| 上電時間 | 從 VS > 3V 到有效輸出的時間 | 25 | ms | |||