ZHCSM20A June 2021 – June 2025 TMCS1100-Q1
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
TMCS1100-Q1 可以在 TMCS1100EVM 上提供持續(xù)電流處理能力,該評(píng)估模塊使用 3oz 覆銅平面。這種電流能力從根本上受到最大器件結(jié)溫和熱環(huán)境的限制,主要是 PCB 布局和設(shè)計(jì)。為了更大限度地提高器件的電流處理能力和熱穩(wěn)定性,請(qǐng)注意 PCB 布局和結(jié)構(gòu)以?xún)?yōu)化熱性能。在 TMCS1100EVM 的設(shè)計(jì)和構(gòu)造之外,努力提升熱性能可以提高持續(xù)電流能力,因?yàn)榈街車(chē)h(huán)境的熱傳遞更高。提高 PCB 熱性能的要點(diǎn)包括:
TMCS1100-Q1 可感測(cè)到外部磁場(chǎng),因此請(qǐng)確保盡量減少靠近器件的相鄰高電流引線(xiàn)。如果輸入電流引線(xiàn)平行于封裝的垂直軸,則輸入電流引線(xiàn)可能為傳感器添加額外的磁場(chǎng)。圖 9-4 說(shuō)明了進(jìn)入 TMCS1100-Q1 的最佳輸入電流布線(xiàn)。當(dāng)電流接近器件的角度發(fā)生從 0° 至水平軸的偏離時(shí),電流引線(xiàn)會(huì)為傳感器添加一些額外的磁場(chǎng),從而提高器件的有效靈敏度。如果電流必須平行于封裝垂直軸,則應(yīng)將布線(xiàn)遠(yuǎn)離封裝,以更大限度地減少對(duì)器件靈敏度的影響。將輸入電流路徑直接端接在封裝引線(xiàn)占位的下方,并為 IN+ 和 IN- 輸入使用合并的銅輸入引線(xiàn)。
圖 9-4 輸入電流引線(xiàn)產(chǎn)生的磁場(chǎng)除了熱和磁優(yōu)化之外,請(qǐng)務(wù)必考慮 PCB 設(shè)計(jì)所需的爬電距離和間隙,以滿(mǎn)足系統(tǒng)級(jí)隔離要求。如果可能,保持焊接模板之間所需的爬電距離,如圖 9-5 所示。如果無(wú)法在板級(jí)保持兩個(gè)隔離側(cè)之間所需的 PCB 爬電距離,請(qǐng)?jiān)诎迳咸砑宇~外的插槽或凹槽。如果系統(tǒng)隔離級(jí)別所需的爬電距離和間隙比封裝提供的更多,則可以使用二次成型化合物來(lái)封裝整個(gè)器件和阻焊層以滿(mǎn)足系統(tǒng)級(jí)要求。
圖 9-5 滿(mǎn)足系統(tǒng)爬電要求的布局