ZHCSF25 May 2016 TLV521
PRODUCTION DATA.
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 技術(shù)規(guī)格
- 7 詳細(xì) 說(shuō)明
- 8 應(yīng)用 和實(shí)施
- 9 電源相關(guān)建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DCK|5
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
6 技術(shù)規(guī)格
6.1 絕對(duì)最大額定值(1)
在自然通風(fēng)溫度范圍內(nèi)運(yùn)行（除非另有說(shuō)明）(1)| 最小值 | 最大值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| 相對(duì)于 V– 的任何引腳 | −0.3 | 6 | V | |
| IN+、IN–、OUT 引腳 | V– – 0.3V | V+ + 0.3V | V | |
| V+、V–、OUT 引腳 | 40 | mA | ||
| 差分輸入電壓（VIN+ - VIN–） | -300 | 300 | mV | |
| 結(jié)溫 | –40 | 150 | °C | |
| 安裝溫度 | 紅外或?qū)α鳎?0 秒） | 260 | °C | |
| 波峰鉛焊溫度（4 秒） | 260 | °C | ||
| 存儲(chǔ)溫度，Tstg | −65 | 150 | °C | |
(1) 超出絕對(duì)最大額定值下列出的應(yīng)力值可能會(huì)對(duì)器件造成永久損壞。這些僅為在應(yīng)力額定值下的工作情況，對(duì)于額定值下的器件的功能性操作以及在超出推薦的操作條件下的任何其它操作，在此并未說(shuō)明。在絕對(duì)最大額定值條件下長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行會(huì)影響器件可靠性。
6.2 ESD 額定值
| 值 | 單位 | |||
|---|---|---|---|---|
| V(ESD) | 靜電放電 | 人體放電模式 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) | ±2000 | V |
| 充電器件模式 (CDM)，符合 JEDEC 規(guī)范 JESD22-C101(2) | ±1000 | |||
| 機(jī)器模型 | ±200 | |||
(1) JEDEC 文檔 JEP155 規(guī)定：500V HBM 能夠在標(biāo)準(zhǔn) ESD 控制流程下安全生產(chǎn)。
(2) JEDEC 文檔 JEP157 規(guī)定：250V CDM 能夠在標(biāo)準(zhǔn) ESD 控制流程下安全生產(chǎn)。
6.3 建議的運(yùn)行條件(1)
在自然通風(fēng)溫度范圍內(nèi)運(yùn)行（除非另有說(shuō)明）| 最小值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| 溫度范圍 | −40 | 125 | °C |
| 電源電壓 (VS = V+ - V−) | 1.7 | 5.5 | V |
(1) 表示限值，如超出這些限值，則可能會(huì)發(fā)生損壞。 表示旨在讓器件正常工作但無(wú)法確保特定性能的條件。有關(guān)保證的各種規(guī)格和測(cè)試條件，請(qǐng)參閱電氣特性。
6.4 熱性能信息
| 熱指標(biāo)(1) | TLV521 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| DCK (SC70) | |||
| 5 引腳 | |||
| RθJA | 結(jié)至環(huán)境熱阻 | 269.9 | °C/W |
| RθJC(top) | 結(jié)至外殼（頂部）熱阻 | 93.7 | °C/W |
| RθJB | 結(jié)至電路板熱阻 | 48.8 | °C/W |
| ψJT | 結(jié)至頂部的特征參數(shù) | 2 | °C/W |
| ψJB | 結(jié)至電路板的特征參數(shù) | 47.9 | °C/W |
| RθJC(bot) | 結(jié)至外殼（底部）熱阻 | 不適用 | °C/W |
(1) 有關(guān)傳統(tǒng)和新熱指標(biāo)的更多信息，請(qǐng)參見(jiàn)《半導(dǎo)體和 IC 封裝熱指標(biāo)》應(yīng)用報(bào)告，SPRA953。
6.5 電氣特性
除非另有說(shuō)明，否則所有限值均是針對(duì)以下條件：TA = 25°C、V+ = 3.3V、V− = 0V、VCM = VO = V+/2 且 RL > 1MΩ。(1)| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VOS | 輸入失調(diào)電壓 | VCM = 0.3V | -3 | 0.1 | 3 | mV |
| VCM = 3V | -3 | 0.1 | 3 | |||
| TCVOS | 輸入失調(diào)電壓漂移 | ±1.5 | μV/°C | |||
| IBIAS | 輸入偏置電流 | 1 | pA | |||
| IOS | 輸入失調(diào)電流 | 50 | fA | |||
| CMRR | 共模抑制比 | 0V ≤ VCM ≤ 3.3V | 70 | 90 | dB | |
| 0V ≤ VCM ≤ 2.2V | 100 | |||||
| PSRR | 電源抑制比 | V+ = 1.8V 至 3.3V；VCM = 0.3V | 80 | 100 | dB | |
| CMVR | 共模電壓范圍 | CMRR ≥ 70dB | 0 | 3.3 | V | |
| AVOL | 大信號(hào)電壓增益 | VO = 0.5V 至 2.8V RL = 100kΩ 且連接至 V+/2 |
80 | 110 | dB | |
| VO | 高輸出擺幅 | RL = 100kΩ 且連接至 V+/2 VIN（差分）= 100mV |
3 | 50 | mV（與任一軌的差值） | |
| 低輸出擺幅 | RL = 100kΩ 且連接至 V+/2 VIN（差分）= −100mV |
2 | 50 | |||
| IO | 輸出電流 | 拉電流，VO 至 V−
VIN（差分）= 100mV |
11 | mA | ||
| 灌電流，VO 至 V+
VIN（差分）= −100mV |
12 | |||||
| IS | 電源電流 | VCM = 0.3V | 350 | 500 | nA |
(1) 電氣特性 值僅適用于指示溫度下的工廠測(cè)試條件。工廠測(cè)試條件會(huì)使器件的自加熱大受限制，使得 TJ = TA。在 TJ > TA 的自加熱條件下，參數(shù)性能（如電氣表中所示）無(wú)法得到保證。 表示結(jié)溫限值，超過(guò)這些限值，器件將會(huì)發(fā)生機(jī)械性或電氣性的永久降級(jí)。
6.6 交流電氣特性(1)
除非另有說(shuō)明，否則所有限值均是針對(duì)以下條件：TA = 25°C、V+ = 3.3V、V− = 0V、VCM = VO = V+/2 且 RL > 1MΩ。| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 (2) |
典型值 (3) |
最大值 (2) |
單位 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GBW | 增益帶寬積 | CL = 20pF，RL = 100kΩ | 6 | kHz | |||
| SR | 轉(zhuǎn)換率 | AV = +1， VIN = 0V 至 3.3V |
下降沿 | 2.9 | V/ms | ||
| 上升沿 | 2.5 | ||||||
| θ m | 相補(bǔ)角 | CL = 20pF，RL = 100kΩ | 73 | 度 | |||
| Gm | 增益裕量 | CL = 20pF，RL = 100kΩ | 19 | dB | |||
| en | 輸入?yún)⒖茧妷涸肼暶芏?/td> | f = 100Hz | 300 | nV/√Hz | |||
| 輸入?yún)⒖茧妷涸肼?/td> | 0.1Hz 至 10Hz | 22 | μVPP | ||||
| In | 輸入?yún)⒖茧娏髟肼?/td> | f = 100Hz | 100 | fA/√Hz | |||
| EMIRR | EMI 抑制比，IN+ 和 IN−(4) | VRF_PEAK = 100mVP (−20dBP)， f = 400MHz |
121 | dB | |||
| VRF_PEAK = 100mVP (−20dBP)， f = 900MHz |
121 | ||||||
| VRF_PEAK = 100mVP (−20dBP)， f = 1800MHz |
124 | ||||||
| VRF_PEAK = 100mVP (−20dBP)， f = 2400MHz |
142 | ||||||
(1) 電氣特性 值僅適用于指示溫度下的工廠測(cè)試條件。工廠測(cè)試條件會(huì)使器件的自加熱大受限制，使得 TJ = TA。在 TJ > TA 的自加熱條件下，參數(shù)性能（如電氣表中所示）無(wú)法得到保證。 表示結(jié)溫限值，超過(guò)這些限值，器件將會(huì)發(fā)生機(jī)械性或電氣性的永久降級(jí)。
(2) 所有限值均經(jīng)過(guò)測(cè)試、統(tǒng)計(jì)分析或設(shè)計(jì)方面的檢驗(yàn)，可以得到保證。
(3) 典型值表示評(píng)定特性時(shí)最有可能達(dá)到的參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)。實(shí)際典型值可能會(huì)隨時(shí)間推移而變化，而且還取決于應(yīng)用和配置。已發(fā)貨生產(chǎn)材料未進(jìn)行這些典型值測(cè)試，無(wú)法確保符合這些典型值。
(4) EMI 抑制比被定義為：EMIRR = 20log (VRF_PEAK/ΔVOS)。
6.7 典型特性
TJ = 25°C 時(shí)測(cè)得的值（除非另有說(shuō)明）。
Figure 1. 電源電流與電源電壓間的關(guān)系
Figure 3. 失調(diào)電壓分布圖
Figure 5. 輸入失調(diào)電壓與電源電壓間的關(guān)系
Figure 7. 輸入失調(diào)電壓與輸出電壓間的關(guān)系
Figure 9. 輸入失調(diào)電壓與灌電流間的關(guān)系
Figure 11. 灌電流與輸出電壓間的關(guān)系
Figure 13. 灌電流與電源電壓間的關(guān)系
Figure 15. 低輸出擺幅與電源電壓間的關(guān)系
Figure 17. 輸入偏置電流與共模電壓間的關(guān)系
Figure 19. CMRR 與頻率間的關(guān)系
Figure 21. 頻率響應(yīng)與 RL 間的關(guān)系
Figure 23. 轉(zhuǎn)換率與電源電壓間的關(guān)系
Figure 25. 大信號(hào)脈沖響應(yīng)
Figure 2. 電源電流與電源電壓間的關(guān)系
Figure 4. 輸入失調(diào)電壓與輸入共模電壓間的關(guān)系
Figure 6. 輸入失調(diào)電壓與電源電壓間的關(guān)系
Figure 8. 輸入失調(diào)電壓與拉電流間的關(guān)系
Figure 10. 拉電流與輸出電壓間的關(guān)系
Figure 12. 拉電流與電源電壓間的關(guān)系
Figure 14. 高輸出擺幅與電源電壓間的關(guān)系
Figure 16. 輸入偏置電流與共模電壓間的關(guān)系
Figure 18. PSRR 與頻率間的關(guān)系
Figure 20. 頻率響應(yīng)與溫度間的關(guān)系
Figure 22. 頻率響應(yīng)與 CL 間的關(guān)系
Figure 24. 0.1 至 10Hz 時(shí)域電壓噪聲
Figure 26. 大信號(hào)脈沖響應(yīng)
Figure 28. EMIRR 與頻率間的關(guān)系