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ZHCSMO4O February 1977 – September 2025 TL081 , TL081A , TL081B , TL081H , TL082 , TL082A , TL082B , TL082H , TL084 , TL084A , TL084B , TL084H

PRODUCTION DATA

封裝選項

請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。

機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

D|14
DYY|14
PW|14

散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

5.7 電氣特性：TL08xH

對于 V_S = (V_CC+) – (V_CC–) = 4.5V 至 40V（±2.25V 至 ±20V），當 T_A = 25°C，R_L = 10k? 連接至 V_S/2，V_CM = V_S/2，且 V_OUT = V_S/2 時（除非另有說明）。

參數(shù)		測試條件		最小值	典型值	最大值	單位
失調電壓
V_OS	輸入偏移電壓				±1	±4	mV
V_OS	輸入偏移電壓		T_A = -40°C 至 +125°C			±5	mV
dV_OS/dT	輸入失調電壓漂移		T_A = -40°C 至 +125°C		±2		μV/℃
PSRR	輸入失調電壓與電源間的關系	V_S = 5V 至 40V， V_CM = V_S / 2	T_A = -40°C 至 +125°C		±1	±10	μV/V
	通道隔離	f = 0Hz			10		μV/V
輸入偏置電流
I_B	輸入偏置電流				±1	±120	pA
			DCK 和 DBV 封裝		±1	±300	pA
			T_A = –40°C 至 +125°C⁽¹⁾			±5	nA
I_OS	輸入失調電流				±0.5	±120	pA
			DCK 和 DBV 封裝		±0.5	±250	pA
			T_A = –40°C 至 +125°C⁽¹⁾			±5	nA
噪聲
E_N	輸入電壓噪聲	f = 0.1Hz 至 10Hz			9.2		μV_PP
E_N	輸入電壓噪聲	f = 0.1Hz 至 10Hz			1.4		μV_RMS
e_N	輸入電壓噪聲密度	f = 1kHz			37		nV/√Hz
e_N	輸入電壓噪聲密度	f = 10kHz			21		nV/√Hz
i_N	輸入電流噪聲	f = 1kHz			80		fA/√Hz
輸入電壓范圍
V_CM	共模電壓范圍			(V_CC–) + 1.5		(V_CC+)	V
CMRR	共模抑制比	V_S = 40V，(V_CC–) + 2.5V < V_CM < (V_CC+) – 1.5V		100	105		dB
		V_S = 40V，(V_CC–) + 2.5V < V_CM < (V_CC+) – 1.5V	T_A = -40°C 至 +125°C	95			dB
		V_S = 40V，(V_CC–) + 2.5V < V_CM < (V_CC+)		90	105		dB
		V_S = 40V，(V_CC–) + 2.5V < V_CM < (V_CC+)	T_A = -40°C 至 +125°C	80			dB
輸入電容
Z_ID	差分				100 \|\| 2		MΩ \|\| pF
Z_ICM	共模				6 \|\| 1		TΩ \|\| pF
開環(huán)增益
A_OL	開環(huán)電壓增益	V_S = 40V，V_CM = V_S / 2， (V_CC–) + 0.3V < V_O < (V_CC+) – 0.3V	T_A = -40°C 至 +125°C	118	125		dB
A_OL	開環(huán)電壓增益	V_S = 40V，V_CM = V_S/2，R_L = 2kΩ，(V_CC–) + 1.2V < V_O < (V_CC+) – 1.2V	T_A = -40°C 至 +125°C	115	120		dB
頻率響應
GBW	增益帶寬積				5.25		MHz
SR	壓擺率	V_S = 40V，G = +1，C_L = 20pF			20		V/μs
t_S	趨穩(wěn)時間	精度達到 0.1%，V_S = 40V，V_STEP = 10V，G = +1，C_L = 20pF			0.63		μs
		精度達到 0.1%，V_S = 40V，V_STEP = 2V，G = +1，C_L = 20pF			0.56
		精度達到 0.01%，V_S = 40V，V_STEP = 10V，G = +1，C_L = 20pF			0.91
		精度達到 0.01%，V_S = 40V，V_STEP = 2V，G = +1，C_L = 20pF			0.48
	相位裕度	G = +1，R_L = 10k?，C_L = 20pF			56		°
	過載恢復時間	V_IN × 增益 > V_S			300		ns
THD+N	總諧波失真 + 噪聲	V_S = 40V，V_O = 6V_RMS，G = +1，f = 1kHz			0.00012		%
EMIRR	EMI 抑制比	f = 1GHz			53		dB
輸出
	相對于電源軌的電壓輸出擺幅	正電源軌余量	V_S = 40V，R_L = 10kΩ		115	210	mV
		正電源軌余量	V_S = 40V，R_L = 2kΩ		520	965
		負電源軌余量	V_S = 40V，R_L = 10kΩ		105	215
		負電源軌余量	V_S = 40V，R_L = 2kΩ		500	1030
I_SC	短路電流				±26		mA
C_LOAD	容性負載驅動				300		pF
Z_O	開環(huán)輸出阻抗	f = 1MHz，I_O = 0A			125		?
電源
I_Q	每個放大器的靜態(tài)電流	I_O = 0A			937.5	1125	μA
		I_O = 0A，(TL081H)			960	1156
		I_O = 0A	T_A = -40°C 至 +125°C			1130
		I_O = 0A，(TL082H)				1143
		I_O = 0A，(TL071H)				1160
	導通時間	T_A = 25°C，V_S = 40V，V_S 升降速率 > 0.3V/μs			60		μs

(1) 根據(jù)表征結果指定最大 I_B 和 I_os。