ZHCSQ88A November 2023 – March 2024 THVD2412 , THVD2442
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 參數(shù)測(cè)量信息
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRC|10
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRC|10
訂購(gòu)信息
8.2.1.4 瞬態(tài)保護(hù)
THVD24x2 收發(fā)器的總線引腳包括針對(duì) ±16kV HBM 和 ±8kV IEC 61000-4-2 接觸放電的片上 ESD 保護(hù)。國(guó)際電工委員會(huì) (IEC) ESD 測(cè)試遠(yuǎn)比 HBM ESD 測(cè)試嚴(yán)格得多。IEC 模型的充電電容 C(S) 高出 50%，放電電阻 R(D) 低出 78%，所產(chǎn)生的放電電流明顯高于 HBM 模型。如 IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)中所述，接觸放電是首選的瞬態(tài)保護(hù)測(cè)試方法。
圖 8-3 HBM 模型和 IEC ESD 模型的電流比較（括號(hào)中為 HBM 值）IEC ESD 保護(hù)的片上實(shí)現(xiàn)可顯著提高設(shè)備的穩(wěn)健性。人體接觸連接器和電纜時(shí)，會(huì)發(fā)生常見(jiàn)的放電事件。設(shè)計(jì)人員可以選擇針對(duì)持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的瞬變（通常稱為浪涌瞬變）實(shí)施保護(hù)。
EFT 通常是由繼電器觸點(diǎn)回跳或電感負(fù)載中斷引起的。浪涌瞬變通常由雷擊（直接雷擊或感應(yīng)電壓和電流的間接雷擊）或電力系統(tǒng)切換（包括負(fù)載變化和短路切換）引起。這些瞬變通常發(fā)生在工業(yè)環(huán)境中，例如工廠自動(dòng)化和電網(wǎng)系統(tǒng)。
圖 8-4 將 EFT 和浪涌瞬態(tài)的脈沖功率與 IEC ESD 瞬態(tài)功率進(jìn)行了比較。圖 8-4 左側(cè)顯示了 0.5kV 浪涌瞬態(tài)和 4kV EFT 瞬態(tài)的相對(duì)脈沖功率，相比之下，左下角的 10kV ESD 瞬態(tài)不是很明顯。500V 浪涌瞬態(tài)代表工業(yè)和過(guò)程自動(dòng)化中工廠環(huán)境中可能發(fā)生的事件。
圖 8-4 右側(cè)顯示了 6kV 浪涌瞬變相對(duì)于相同 0.5kV 浪涌瞬變的脈沖功率。6kV 浪涌瞬變最有可能發(fā)生在發(fā)電和電網(wǎng)系統(tǒng)中。
圖 8-4 ESD、EFT 和浪涌瞬態(tài)的功耗比較對(duì)于浪涌瞬變，高能量?jī)?nèi)容的特點(diǎn)是脈沖持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)和脈沖功率衰減緩慢。轉(zhuǎn)儲(chǔ)到收發(fā)器內(nèi)部保護(hù)單元的瞬變電能被轉(zhuǎn)換成熱能，從而加熱并破壞保護(hù)單元，進(jìn)而損壞收發(fā)器。圖 8-5 顯示了單個(gè) ESD、EFT、浪涌瞬變以及合規(guī)性測(cè)試期間常用的 EFT 脈沖序列的瞬態(tài)能量差異很大。
圖 8-5 瞬態(tài)能量的比較