ZHCSJZ4B July 2019 – October 2021 THVD2410 , THVD2450
PRODUCTION DATA
THVD24x0 收發(fā)器系列的總線引腳包括針對 ±30kV HBM 和 ±12kV IEC 61000-4-2 接觸放電的片上 ESD 保護(hù)。國際電工委員會 (IEC) ESD 測試遠(yuǎn)比 HBM ESD 測試嚴(yán)格得多。IEC 模型的充電電容 C(S) 高出 50%,放電電阻 R(D) 低出 78%,所產(chǎn)生的放電電流明顯高于 HBM 模型。如 IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn)中所述,接觸放電是首選的瞬態(tài)保護(hù)測試方法。
圖 9-3 HBM 模型和 IEC ESD 模型的電流比較(括號中為 HBM 值)IEC ESD 保護(hù)的片上實(shí)現(xiàn)可顯著提高設(shè)備的穩(wěn)健性。人體接觸連接器和電纜時,會發(fā)生常見的放電事件。設(shè)計(jì)人員可以選擇針對持續(xù)時間較長的瞬變(通常稱為浪涌瞬變)實(shí)施保護(hù)。
EFT 通常是由繼電器觸點(diǎn)回跳或電感負(fù)載中斷引起的。浪涌瞬變通常由雷擊(直接雷擊或感應(yīng)電壓和電流的間接雷擊)或電力系統(tǒng)切換(包括負(fù)載變化和短路切換)引起。這些瞬變通常發(fā)生在工業(yè)環(huán)境中,例如工廠自動化和電網(wǎng)系統(tǒng)。
圖 9-4 將 EFT 和浪涌瞬態(tài)的脈沖功率與 IEC ESD 瞬態(tài)功率進(jìn)行了比較。左圖顯示了 0.5kV 浪涌瞬態(tài)和 4kV EFT 瞬態(tài)的相對脈沖功率,相比之下,左下角的 10kV ESD 瞬態(tài)不是很明顯。500V 浪涌瞬態(tài)代表工業(yè)和過程自動化中工廠環(huán)境中可能發(fā)生的事件。
右圖顯示了 6kV 浪涌瞬變相對于相同 0.5kV 浪涌瞬變的脈沖功率。6kV 浪涌瞬變最有可能發(fā)生在發(fā)電和電網(wǎng)系統(tǒng)中。
圖 9-4 ESD、EFT 和浪涌瞬態(tài)的功耗比較在浪涌瞬變情形中,高能量內(nèi)容的特點(diǎn)是脈沖持續(xù)時間長和脈沖功率衰減緩慢。轉(zhuǎn)儲到收發(fā)器內(nèi)部保護(hù)單元的瞬變電能被轉(zhuǎn)換成熱能,從而加熱并破壞保護(hù)單元,進(jìn)而損壞收發(fā)器。圖 9-5 顯示了單個 ESD、EFT、浪涌瞬變以及合規(guī)性測試期間常用的 EFT 脈沖序列的瞬態(tài)能量差異很大。
圖 9-5 瞬態(tài)能量的比較