與所有高速器件類似，可以通過精心設(shè)計電路板布局布線來實現(xiàn)出色的系統(tǒng)性能。THS4535DGKEVM 用戶指南提供了一個很好的高頻布局技術(shù)示例作為參考。該 EVM 包含許多用于表征目的的額外元件和功能，可能不適用于某些應(yīng)用。一般高速信號路徑布局建議包括：
- 連續(xù)接地平面更適合用于具有匹配阻抗引線的信號路由，以實現(xiàn)更長的運行時間；不過，必須在電容敏感輸入和輸出器件引腳周圍打開接地平面和電源平面。將信號發(fā)送到電阻器后，寄生電容會更多地導(dǎo)致帶寬限制問題，而不是穩(wěn)定性問題。
- 器件電源引腳的接地平面需要完好的高頻去耦電容器 (0.1μF)。另外還需要容值更大的電容 (2.2μF)，但可以將其放置在離器件電源引腳更遠(yuǎn)的位置并在器件之間共享。為獲得良好的高頻去耦效果，請考慮使用 X2Y 電源去耦電容器，以提供比標(biāo)準(zhǔn)電容器高得多的自諧振頻率。
- 任何可感知距離上的差分信號路由必須使用具有匹配阻抗引線的微帶布局技術(shù)。
- 輸入求和點對寄生電容非常敏感。任何 RG 元件必須以盡可能短的走線連接到電阻器靠近器件引腳端的求和節(jié)點。如果需要連接到源或 GND，則 RG 元件的另一側(cè)可能具有更大的布線長度。