ZHCSXQ5H June 1998 – January 2025 SN54AHCT123A , SN74AHCT123A
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
此器件包括具有施密特觸發(fā)架構(gòu)的輸入。這些輸入為高阻抗，通常建模為從輸入到接地的電阻器并與輸入電容并聯(lián)，如電氣特性 表中所示。最壞情況下的電阻是根據(jù)絕對最大額定值 表中給出的最大輸入電壓和電氣特性 表中給出的最大輸入漏電流，使用歐姆定律 (R = V ÷ I) 計算得出的。
施密特觸發(fā)輸入架構(gòu)可提供由電氣特性 表中的 ΔVT 定義的遲滯，因而此器件能夠很好地耐受慢速或高噪聲輸入。雖然輸入的驅(qū)動速度可能比標準 CMOS 輸入慢得多，但仍建議正確端接未使用的輸入。用緩慢的轉(zhuǎn)換信號驅(qū)動輸入會增加器件的動態(tài)電流消耗。有關(guān)施密特觸發(fā)輸入的更多信息，請參閱了解施密特觸發(fā)。