ZHCSTE6A October 2023 – December 2023 RES11A-Q1
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請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
RES11A-Q1 的電阻通過以下公式來描述:
RInnom 和 RGnom 是每個電阻的標(biāo)稱值。參數(shù) tabs 是誤差項,用于描述相關(guān) RES11A-Q1 器件的絕對容差,使得 |tabs| ≤ 12%。絕對容差主要取決于 SiCr 電阻率 (tSiCr) 的變化。給定 RES11A-Q1 的四個電阻呈叉指狀,并且來自相同的晶圓區(qū)域;因此,tSiCr 對于四個電阻中的每一個來說實際上相同,但 tSiCr 因器件而異。以下示例顯示,當(dāng)從比例角度考慮每個分壓器時,這些誤差項會消失。參數(shù) tRx 是誤差項,用于描述給定 RES11A-Q1 器件每個電阻的剩余有效容差(在考慮通用 tSiCr 之后)。
RES11A-Q1 的規(guī)定最大分壓器分壓比容差為 0.05%,這意味著實際分壓器比率 Gx 和標(biāo)稱比率 Gnom(給定分壓器 x)之間的關(guān)系描述如下:
使得 tDx ≤ 0.05%。由于在最終測試階段時會篩除所有不符合這些標(biāo)準(zhǔn)的器件,因此這些公式可以與方程式 5 一起用來證明 tRx 的有效界限。因此,盡管器件的絕對端到端容差界限為 ±12%,但每個電阻的有效誤差容差(對于比率應(yīng)用)大約在 ±0.025% 范圍內(nèi)(最壞情況 tRx)。
RES11A-Q1 的規(guī)定最大分壓器匹配容差為 0.1%,這意味著分壓器 1 的比率 (G1) 和分壓器 2 的比率 (G2) 描述如下:
根據(jù)定義,|tM| ≤ 0.1%。同樣,前面的公式將 tM 與參數(shù) tDX 和 tRX 相關(guān)聯(lián)。由于兩個分壓器呈叉指狀,因此 tM 的實際典型幅度明顯低于此最大值,具體取決于特定的 RES11A-Q1 器件。在實現(xiàn)差分放大器電路時,此值用于計算共模抑制比 (CMRR)。例如,典型的 tM(RES11A40-Q1 的典型值)大約為 85ppm,而典型 CMRR 為 95.4dB。