ZHCSIR8F August 2009 – September 2018 MSP430F5418 , MSP430F5419 , MSP430F5435 , MSP430F5436 , MSP430F5437 , MSP430F5438
PRODUCTION DATA.
以下文檔對 MSP430F543x MCU 進行了介紹。www.apartmentvenezia.com 網(wǎng)站上提供了這些文檔的副本。
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勘誤
說明了該器件已知的功能技術(shù)規(guī)格例外情況。
說明了該器件已知的功能技術(shù)規(guī)格例外情況。
說明了該器件已知的功能技術(shù)規(guī)格例外情況。
說明了該器件已知的功能技術(shù)規(guī)格例外情況。
說明了該器件已知的功能技術(shù)規(guī)格例外情況。
說明了該器件已知的功能技術(shù)規(guī)格例外情況。
用戶指南
詳細介紹了該器件系列提供的模塊和外設(shè)。
此用戶指南介紹如何將 TI Code Composer Studio IDE 與 MSP430 超低功耗微控制器結(jié)合使用。
MSP430 引導(dǎo)加載程序 (BSL) 允許用戶在原型設(shè)計、投產(chǎn)和維護等各階段與 MSP430 微控制器中的嵌入式存儲器進行通信?？删幊檀鎯ζ鳎ㄩW存）和數(shù)據(jù)存儲器 (RAM) 可根據(jù)相關(guān)要求進行變更。不要將此處的引導(dǎo)加載程序與某些數(shù)字信號處理器 (DSP) 中將外部存儲器中的程序代碼（和數(shù)據(jù)）自動加載到 DSP 內(nèi)部存儲器的引導(dǎo)裝載程序混為一談。
此文檔介紹了使用 JTAG 通信端口擦除、編程和驗證基于 MSP430 閃存和 FRAM 的微控制器系列的存儲器模塊所需的功能。此外，該文檔還介紹了如何編程所有 MSP430 器件上均具備的 JTAG 訪問安全保險絲。此文檔介紹了使用標(biāo)準(zhǔn)四線制 JTAG 接口和兩線制 JTAG 接口（也稱為 Spy-Bi-Wire (SBW)）的器件訪問。
此手冊介紹了 TI MSP-FET430 閃存仿真工具 (FET) 的硬件。FET 是針對 MSP430 超低功耗微控制器的程序開發(fā)工具。文中對提供的接口類型，即并行端口接口和 USB 接口進行了說明。
應(yīng)用報告
選擇合適的晶體、正確的負載電路和適當(dāng)?shù)碾娐钒宀季质菍崿F(xiàn)穩(wěn)定的晶體振蕩器的關(guān)鍵。該應(yīng)用報告總結(jié)了晶體振蕩器的功能，介紹了用于選擇合適的晶體以實現(xiàn) MSP430 超低功耗運行的參數(shù)。此外，還給出了正確電路板布局的提示和示例。此外，為了確保振蕩器在大規(guī)模生產(chǎn)后能夠穩(wěn)定運行，還可能需要進行一些振蕩器測試，該文檔中提供了有關(guān)這些測試的詳細信息。
系統(tǒng)級 ESD 對于低電壓下的硅晶技術(shù)以及經(jīng)濟高效型和超低功耗組件的需求日益增加。此應(yīng)用報告重點討論了三個不同的 ESD 主題，以幫助板卡設(shè)計師和原始設(shè)備制造商 (OEM) 理解和設(shè)計穩(wěn)健的系統(tǒng)級設(shè)計產(chǎn)品：(1) 組件級 ESD 測試和系統(tǒng)級 ESD 測試，二者的差異以及為何組件級 ESD 無法確保達到系統(tǒng)級的穩(wěn)健性。(2) 系統(tǒng)級 ESD 保護在不同電平下的通用設(shè)計指南（包括外殼、電纜、PCB 布局和板載 ESD 防護器件）。(3) 介紹了系統(tǒng)高效 ESD 設(shè)計 (SEED)。這是一種板上和片上 ESD 保護協(xié)同設(shè)計的方法論，用于實現(xiàn)系統(tǒng)級 ESD 的穩(wěn)健性，配備仿真示例和測試結(jié)果。另外，還討論了一些真實的系統(tǒng)級 ESD 保護設(shè)計示例及其成果。
此文檔介紹了 MSP430 器件中提供的增強型仿真模塊 (EEM) 高級調(diào)試 功能的 好處，以及如何將其與 Code Composer Studio (CCS) 版本 6 軟件開發(fā)工具配合使用。EEM 高級調(diào)試 功能 支持高精度模擬和全速數(shù)字調(diào)試。此文檔介紹了用于最大控制的調(diào)試環(huán)境的配置和嵌入式跟蹤功能的使用。此文檔還演示了一些支持快速開發(fā)和可測試設(shè)計的技術(shù)。