ZHCSIB5J February 2001 – November 2016 LMV712-N , LMV712-N-Q1
PRODUCTION DATA.
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機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
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7.4.2 容性負載容差
在單位增益配置下，LMV712-N 可直接驅動 200pF，而不會出現(xiàn)振蕩。單位增益跟隨器是對容性負載最敏感的配置。直接容性負載可減小放大器的相位裕度。放大器的輸出抗阻和容性負載的組合會引起相位滯后。這會導致欠阻尼的脈沖響應或振蕩。要驅動電容更大的負載，TI 建議使用Figure 32 中所示的電路。
Figure 32. 驅動高電容負載
在Figure 32 中，隔離電阻器 RISO 和負載電容器 CL 會形成一個極點，通過增大整個系統(tǒng)的相位裕度來提高穩(wěn)定性。所需的性能取決于 RISO 值。RISO 電阻值越大，VOUT 越穩(wěn)定。但是，當 RISO 變大時，直流精度會有所下降。如果該應用中有一個負載電阻器，則輸出電壓會由 RISO 和該負載電阻器各分得一部分。
相對于Figure 32 所示電路，Figure 33 中的電路更為出色，因為該電路可提供直流精度以及交流穩(wěn)定性。在Figure 33 中，RF 通過使用前饋技術將 VIN 連接到 RL，從而提供直流精度。CF 和 RISO 通過將輸出信號的高頻分量反饋回放大器的反相輸入來抵消相位裕度的損失，從而保持整個反饋環(huán)路中的相位裕度?？赏ㄟ^增大 CF 的值來增加容性驅動。這會進而降低脈沖響應的速度。
Figure 33. 更高的直流精度