ZHCSCH1F March 2013 – May 2024 LMT86
PRODUCTION DATA
LMT86 器件在溫度和電源電壓范圍內(nèi)具有非常高的線性度。由于 NMOS/PMOS 軌到軌緩沖器的固有行為，當(dāng)電源電壓在器件的工作范圍內(nèi)升高時，輸出可能會發(fā)生輕微漂移。漂移的位置取決于 VDD 和 VOUT 的相對電平。漂移通常在 VDD - VOUT = 1V 時發(fā)生。
產(chǎn)生該輕微漂移（數(shù)毫伏）的條件是 VDD 或 VOUT 發(fā)生大幅變化（約 200mV）。由于漂移發(fā)生在 5°C 至 20°C 的寬溫變范圍內(nèi)，因此 VOUT 始終具有單調(diào)性。精度特性 表中的精度規(guī)格已包含這種可能的漂移。