ZHCSXB0A October 2024 – December 2024 LM61480T-Q1 , LM61495T-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
-
7 詳細(xì)說明
- 7.1 概述
- 7.2 功能方框圖
- 7.3
特性說明
- 7.3.1 輸出電壓選擇
- 7.3.2 使能 EN 引腳和 VIN UVLO 用途
- 7.3.3 用于同步的 SYNC/MODE
- 7.3.4 時(shí)鐘鎖定
- 7.3.5 可調(diào)開關(guān)頻率
- 7.3.6 RESET 輸出運(yùn)行
- 7.3.7 內(nèi)部 LDO、VCC UVLO 和 BIAS 輸入
- 7.3.8 自舉電壓和 VCBOOT-UVLO（CBOOT 引腳）
- 7.3.9 SW 節(jié)點(diǎn)壓擺率可調(diào)
- 7.3.10 展頻
- 7.3.11 軟啟動(dòng)和從壓降中恢復(fù)
- 7.3.12 過流和短路保護(hù)
- 7.3.13 斷續(xù)
- 7.3.14 熱關(guān)斷
- 7.4 器件功能模式
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- VAM|16
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- VAM|16
訂購(gòu)信息
7.3.12 過流和短路保護(hù)
LM614xxT-Q1 通過針對(duì)高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的逐周期電流限制在過流情況下得到保護(hù)。
高側(cè) MOSFET 過流保護(hù)是通過峰值電流模式控制的特性來實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)高側(cè)開關(guān)在較短的消隱時(shí)間后導(dǎo)通時(shí)，將檢測(cè)到高側(cè)開關(guān)電流。在每個(gè)開關(guān)周期，將高側(cè)開關(guān)電流與固定電流設(shè)定點(diǎn)的最小值，或與電壓調(diào)節(jié)環(huán)路的輸出減去斜率補(bǔ)償之后的值進(jìn)行比較。由于電壓環(huán)路具有最大值并且斜率補(bǔ)償隨占空比增加，因此如果占空比高于 35%，高側(cè)電流限值會(huì)隨著占空比的增加而減小。請(qǐng)參閱圖 7-15。
圖 7-15 允許流經(jīng) HS FET 的最大電流 - LM61495T-Q1 占空比的函數(shù)當(dāng)?shù)蛡?cè)開關(guān)接通時(shí)，也會(huì)檢測(cè)和監(jiān)控流經(jīng)的電流。與高側(cè)器件一樣，電壓控制環(huán)路會(huì)命令低側(cè)器件關(guān)斷。對(duì)于低側(cè)器件，即使振蕩器正常啟動(dòng)一個(gè)新的開關(guān)周期，也會(huì)在電流超過此值時(shí)阻止關(guān)斷。請(qǐng)參閱節(jié) 7.4.3.4。與高側(cè)器件一樣，關(guān)斷電流的高低也受到限制。該限制稱為低側(cè)電流限制；有關(guān)具體值，請(qǐng)參閱電氣特性。如果超出 LS 電流限值，LS MOSFET 將保持導(dǎo)通狀態(tài)，HS 開關(guān)不會(huì)導(dǎo)通。LS 開關(guān)在 LS 電流降至限值以下后關(guān)斷。只要自 HS 器件上次導(dǎo)通后至少經(jīng)過一個(gè)時(shí)鐘周期 HS 開關(guān)就會(huì)再次導(dǎo)通。
圖 7-16 電流限值波形高側(cè)和低側(cè)限流運(yùn)行的最終影響是 IC 在遲滯控制下運(yùn)行。由于電流波形假定值介于 IL-HS 和 IL-LS 之間，因此除非占空比非常高，否則輸出電流接近這兩個(gè)值的平均值。在電流限制下運(yùn)行之后將使用遲滯控制，并且電流不會(huì)隨著輸出電壓接近零而增加。
如果占空比非常高，則電流紋波必須非常低以防止不穩(wěn)定；請(qǐng)參閱節(jié) 8.2.2.3。由于電流紋波較低，因此該器件能夠提供全電流。提供的電流非常接近 IL-LS。
一旦消除過載，器件就會(huì)像在軟啟動(dòng)中一樣恢復(fù)；請(qǐng)參閱節(jié) 7.3.11。請(qǐng)注意，如果輸出電壓降至預(yù)期輸出電壓的大約 0.4 倍以下，則會(huì)觸發(fā)斷續(xù)。