ZHCSXB0A October 2024 – December 2024 LM61480T-Q1 , LM61495T-Q1
PRODUCTION DATA
為了在效率方面優(yōu)化 EMI,LM614xxT-Q1 允許在導(dǎo)通期間通過電阻器選擇高側(cè) FET 驅(qū)動器的強度。請參閱圖 7-10。通過 RBOOT 引腳消耗的電流(虛線環(huán)路)被放大并通過 CBOOT 消耗(虛線)。該電流用于導(dǎo)通高側(cè)電源 MOSEFT。
RBOOT 短接至 CBOOT 時,上升時間很短。在這種情況下,SW 節(jié)點諧波以每十倍頻程 –40dBμV 的速率滾降,直到達到 150MHz 左右,然后諧波開始以每十倍頻–40dBμV 的速率滾降。延長上升時間會降低發(fā)生此轉(zhuǎn)換時的頻率,在較高頻率下提供更多滾降,從而在 EMI 掃描方面提供更大的裕度。如果通過 700Ω 連接 CBOOT 和 RBOOT,則高側(cè)導(dǎo)通導(dǎo)致的壓擺時間限制為不超過 13ns。將 13.5V 轉(zhuǎn)換為 5V 時,其典型值為 10ns。在大多數(shù)情況下,這種較長的上升時間使 SW 節(jié)點諧波中的能量都能在 50MHz 附近滾降。滾降諧波可以消除許多應(yīng)用中對屏蔽和共模扼流圈的需求。請注意,上升時間隨著輸入電壓的增加而延長。隨著 RBOOT 電阻升高,存儲電荷產(chǎn)生的噪聲也顯著降低。以較低壓擺率進行開關(guān)會降低效率。請注意優(yōu)化該電阻,以在不產(chǎn)生過多熱量的情況下提供出色的 EMI。如果 RBOOT 保持開路,則上升時間設(shè)置為最大值。