ZHCSG45B March 2017 – March 2018 LM5113-Q1
PRODUCTION DATA.
LM5113-Q1 專為同時(shí)驅(qū)動(dòng)采用同步降壓、升壓或半橋配置的高側(cè)和低側(cè)增強(qiáng)模式氮化鎵 (GaN) FET 或硅質(zhì) MOSFET 而設(shè)計(jì),適用于汽車 應(yīng)用。此器件具有一個(gè)集成于內(nèi)部的 100V 自舉二極管,還為高側(cè)和低側(cè)輸出分別提供了獨(dú)立的輸入,可實(shí)現(xiàn)最大程度的靈活控制。高側(cè)偏置電壓在內(nèi)部被鉗位為 5.2V,可防止柵極電壓超過增強(qiáng)模式 GaN FET 的最大柵極/源極電壓額定值。器件的輸入與 TTL 邏輯兼容,無論 VDD 電壓多高,它都能夠承受高達(dá) 14V 的輸入電壓。LM5113-Q1 具有分柵輸出的能力,可獨(dú)立靈活地調(diào)節(jié)開通和關(guān)斷強(qiáng)度。
此外,LM5113-Q1 具有非??煽康墓嚯娏髂芰?,使柵極保持低電平,從而防止開關(guān)操作期間發(fā)生誤導(dǎo)通。LM5113-Q1 的工作頻率最高可達(dá)數(shù) MHz。LM5113-Q1 采用帶有裸露焊盤的標(biāo)準(zhǔn) 10 引腳 WSON 封裝,可改善功耗。
| 器件型號(hào) | 封裝 | 封裝尺寸(標(biāo)稱值) |
|---|---|---|
| LM5113-Q1 | WSON (10) | 4.00mm x 4.00mm |