ZHCSI65E September 2018 – February 2022 LM321LV , LM324LV , LM358LV
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說明
- 8 應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 9 電源相關(guān)建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
8.2.2 詳細(xì)設(shè)計(jì)過程
Equation1 提供了圖 8-1 中的電路傳遞函數(shù)：
Equation1. 
負(fù)載電流 (ILOAD) 在分流電阻器 (RSHUNT) 上產(chǎn)生壓降。負(fù)載電流設(shè)置為 0A 至 1A。為了在最大負(fù)載電流下保持分流電壓低于 100mV，使用Equation2 展示了允許的最大分流電阻器。
Equation2. 
根據(jù)Equation2 計(jì)算出的 RSHUNT 為 100mΩ。ILOAD 和 RSHUNT 產(chǎn)生的電壓降由 LM3xxLV 器件放大，從而產(chǎn)生大約 0V 至 3.5V 的輸出電壓。LM3xxLV 產(chǎn)生必要輸出電壓時(shí)所需的增益根據(jù)Equation3 算出：
Equation3. 
使用Equation3 計(jì)算出的所需增益為 35 V/V，該值由電阻器 RF 和 RG 設(shè)置。Equation4 調(diào)整電阻器 RF 和 RG 的阻值大小，從而將 LM3xxLV 器件的增益設(shè)置為 35V/V。
Equation4. 