如果在電路板布局布線期間考慮不充分，就無法實現(xiàn)半橋柵極驅(qū)動器的卓越性能。強(qiáng)調(diào)了以下幾點：
- 應(yīng)在 GVDD 和 GND 引腳之間以及 BST 和 SH 引腳之間靠近 IC 的位置連接低 ESR 和低 ESL 電容器，從而在外部 MOSFET 導(dǎo)通時支持 GVDD 和 BST 消耗的高峰值電流。
- 為防止頂部 MOSFET 漏極出現(xiàn)大的電壓瞬變，必須在 MOSFET 漏極和接地 (GND) 之間連接一個低 ESR 電解電容器和一個高質(zhì)量陶瓷電容器。
- 為避免開關(guān)節(jié)點 (SH) 引腳上出現(xiàn)大型負(fù)瞬變，必須盡可能減小頂部 MOSFET 源極和底部 MOSFET（同步整流器）漏極之間的寄生電感。
- 接地注意事項：
- 設(shè)計接地連接的首要任務(wù)是將 MOSFET 柵極充放電的高峰值電流限制在盡量小的物理區(qū)域。這樣將會降低環(huán)路電感，并更大限度地減少 MOSFET 柵極端子上的噪聲問題。柵極驅(qū)動器必須盡可能靠近 MOSFET 放置。
- 第二個考慮因素是高電流路徑，其中包括自舉電容器、自舉二極管、本地接地基準(zhǔn)旁路電容器和低側(cè) MOSFET 體二極管。自舉電容器由以接地為基準(zhǔn)的 GVDD 旁路電容器通過自舉二極管逐周期進(jìn)行重新充電。重新充電發(fā)生在短時間隔內(nèi)，需要高峰值電流。盡可能減小電路板上的環(huán)路長度和面積對于確保可靠運行至關(guān)重要。