ZHCSH39B November 2017 – September 2019 ISOW7821
PRODUCTION DATA.
ISOW7821 器件可提供高電磁抗擾度和低輻射,同時能夠隔離 CMOS 或 LVCMOS 數(shù)字 I/O。信號隔離通道具有由二氧化硅 (SiO2) 絕緣柵相隔離的邏輯輸入和輸出緩沖器,而電源隔離使用片上變壓器,以薄膜聚合物作為絕緣材料。提供各種正向和反向通道配置。如果輸入信號丟失,則默認輸出對于 ISOW7821 器件為高電平,對于具有 F 后綴的器件為低電平(請參閱器件 具有)。
這些器件有助于防止數(shù)據(jù)總線或者其他電路上的噪聲電流進入本地接地并干擾或損壞敏感電路。憑借創(chuàng)新型芯片設計和布局技術,ISOW7821 器件的電磁兼容性得到了顯著增強,可緩解系統(tǒng)級 ESD、EFT 和浪涌問題并符合輻射標準。電源轉(zhuǎn)換器效率較高,允許在較高的環(huán)境溫度下工作。ISOW7821 器件采用 16 引腳 SOIC 寬體 (SOIC-WB) DWE 封裝。