ZHCSW61E April 2024 – September 2025 ISOM8110-Q1 , ISOM8111-Q1 , ISOM8112-Q1 , ISOM8113-Q1 , ISOM8115-Q1 , ISOM8116-Q1 , ISOM8117-Q1 , ISOM8118-Q1
PRODUCTION DATA
絕緣壽命預(yù)測數(shù)據(jù)是使用業(yè)界通用的時間依賴性電介質(zhì)擊穿 (TDDB) 測試方法收集的。在該測試中,隔離柵兩側(cè)的所有引腳都連在一起,構(gòu)成了一個雙端子器件并在兩側(cè)之間施加高電壓;對于 TDDB 測試設(shè)置,請參閱圖 9-7。絕緣擊穿數(shù)據(jù)是在開關(guān)頻率為 60Hz 以及各種高電壓條件下在整個溫度范圍內(nèi)收集的。對于增強型絕緣,VDE 標(biāo)準(zhǔn)要求使用故障率小于 1ppm 的 TDDB 預(yù)測線。盡管額定工作隔離電壓條件下的預(yù)期最短絕緣壽命為 20 年,但是 VDE 增強認(rèn)證要求工作電壓具有額外 20% 的安全裕度,壽命具有額外 50% 的安全裕度,也就是說在工作電壓高于額定值 20% 的條件下,所需的最短絕緣壽命為 30 年。
圖 9-8 展示了隔離柵在其整個壽命期間承受高壓應(yīng)力的固有能力。根據(jù) TDDB 數(shù)據(jù),固有絕緣能力為 500VRMS,壽命為 44 年。封裝尺寸、污染等級和材料組等其他因素可能會限制元件的工作電壓。
圖 9-7 絕緣壽命測量的測試設(shè)置
圖 9-8 絕緣壽命預(yù)測數(shù)據(jù)