ISOM8111-Q1
- 業(yè)界通用光晶體管光耦合器的封裝兼容、引腳對引腳升級版
- 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性:
- 器件溫度等級 1:–40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍
- 單通道 LED 仿真器輸入
- IF = 5mA、VCE = 5V 時的電流傳輸比 (CTR):
- ISOM8110-Q1、ISOM8115-Q1:100% 至 155%
- ISOM8111-Q1、ISOM8116-Q1:150% 至 230%
- ISOM8112-Q1、ISOM8117-Q1:255% 至 380%
- ISOM8113-Q1、ISOM8118-Q1:375% 至 560%
- 高集電極-發(fā)射極電壓:VCE(最大值)= 80V
- 穩(wěn)健 SiO2 隔離柵
- 隔離等級:高達 5000VRMS
- 工作電壓:高達 750VRMS、1061VPK
- 浪涌能力:高達 10kVPK
- 響應時間:VCE = 10V、IC = 2mA、RL = 100Ω 時為 3μs(典型值)
- 功能安全型
- 可提供用于功能安全系統(tǒng)設計的文檔:ISOM811x-Q1
- (計劃)
- 符合由 VDE 按 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 標準進行的認證
- UL 1577 認證,5000VRMS
- IEC 62368-1、IEC 61010-1 認證
- CQC GB 4943.1 認證
ISOM811x-Q1 器件是具有 LED 仿真器輸入和晶體管輸出的單通道光耦仿真器,也是許多傳統(tǒng)光耦合器的封裝兼容、引腳對引腳升級版器件,無需重新設計 PCB 即可增強現(xiàn)有系統(tǒng)。
與光耦合器相比,ISOM811x-Q1 光耦仿真器具有顯著的可靠性和性能優(yōu)勢,包括高帶寬、低關斷延遲、低功耗、更寬的溫度范圍、平坦的 CTR 和嚴格的過程控制,從而實現(xiàn)較小的器件間偏移。由于沒有要補償?shù)睦匣驕囟茸兓?,因此仿?LED 輸入級的功耗比光耦合器低。
ISOM811x-Q1 器件采用引腳間距為 2.54mm 和 1.27mm 的小型 SOIC-4 封裝,支持 3750VRMS 和 5000VRMS 隔離額定值以及直流 (ISOM811[0-3]-Q1) 和雙向直流 (ISOM811[5-8]-Q1) 輸入選項。ISOM811x-Q1 器件具有高性能和高可靠性,因此可用于電源反饋設計、電機驅動、工業(yè)控制器中的 I/O 模塊、工廠自動化應用等。
技術文檔
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查看全部 11 | 類型 | 標題 | 下載最新的英語版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 數(shù)據(jù)表 | ISOM811x-Q1 具有模擬晶體管輸出的 汽車級 增強型單通道光耦仿真器 數(shù)據(jù)表 (Rev. E) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.E) | PDF | HTML | 2025年 11月 4日 |
| 證書 | UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. R) | 2025年 9月 8日 | ||||
| 產品概述 | 使用光耦仿真器升級 photoMOS、SSR 和推挽、圖騰柱或晶體 管輸出光耦合器 (Rev. A) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2025年 8月 26日 | |
| 證書 | CQC Certificate for ISOMxxxDFx | 2025年 8月 18日 | ||||
| 證書 | TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. L) | 2025年 8月 15日 | ||||
| 產品概述 | 使用光耦仿真器實現(xiàn)隔離式次級側過壓保護 (Rev. A) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2025年 4月 24日 | |
| 產品概述 | 隔離電源中的反饋信號 (Rev. A) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2025年 4月 24日 | |
| 應用手冊 | 使用光耦仿真器實現(xiàn)V2L的OBC的繼電器粘連檢測 | 英語版 | PDF | HTML | 2025年 3月 6日 | ||
| 功能安全信息 | ISOM811x-Q1 Functional Safety, FIT Rate, FMD and Pin FMA (Rev. B) | PDF | HTML | 2025年 2月 24日 | |||
| 應用簡報 | 隔離認證標準揭秘:光耦合器與光耦仿真器 | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2023年 10月 20日 | |
| 應用手冊 | 所選封裝材料的熱學和電學性質 | 2008年 10月 16日 |
設計和開發(fā)
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評估板
ISOM8110DFGEVM — ISOM8110?具有模擬晶體管輸出的單通道光耦仿真器評估模塊
ISOM8110DFGEVM 評估模塊用于評估 ISOM8110,是采用了 4 引腳 DFG SOIC 封裝、具有模擬晶體管輸出的單通道光耦仿真器。該 EVM 支持您評估器件的性能,從而快速開發(fā)和分析隔離系統(tǒng)。?
參考設計
TIDA-010271 — 面向儲能系統(tǒng)的可堆疊電池管理單元參考設計
該參考設計是一種全面的電芯溫度檢測和高電芯電壓精度鋰離子 (Li-ion)、磷酸鐵鋰 (LiFePO4) 電池包(32 芯)。該設計可監(jiān)控每個電芯的電壓和電芯溫度,并保護電池包以確保安全使用。該設計使用板載和非板載菊花鏈通信接口,以實現(xiàn)具有成本效益的堆疊式總線連接。得益于這些特性,該參考設計適用于高容量電池包應用。
設計指南: PDF
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (DFG) | 4 | Ultra Librarian |
| SOIC (DFH) | 4 | Ultra Librarian |
| SOIC (DFS) | 4 | Ultra Librarian |
訂購和質量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息:
- 制造廠地點
- 封裝廠地點
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