ZHCSX85N September 2007 – October 2025 ISO7230C , ISO7231C , ISO7231M
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數(shù) | 測試條件 | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|
| 通用 | ||||
| CLR | 外部間隙(1) | 端子間的最短空間距離 | 8 | mm |
| CPG | 外部爬電距離(1) | 端子間的最短封裝表面距離 | 8 | mm |
| DTI | 絕緣穿透距離 | 最小內部間隙 | 0.008 | mm |
| CTI | 相對漏電起痕指數(shù) | DIN EN 60112 (VDE 0303-11)；IEC 60112 | ≥400 | V |
| 材料組 | II | |||
| 過壓類別 | 額定市電電壓 ≤ 150VRMS | I-IV | ||
| 額定市電電壓 ≤ 300VRMS | I-III | |||
| 額定市電電壓 ≤ 400VRMS | I-II | |||
| DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)：2 | ||||
| VIORM | 最大重復峰值隔離電壓 | 交流電壓（雙極） | 560 | VPK |
| VIOTM | 最大瞬態(tài)隔離電壓 | VTEST = VIOTM，t = 60s（鑒定測試）； VTEST = 1.2 × VIOTM，t = 1s（100% 生產(chǎn)測試） |
4000 | VPK |
| qpd | 視在電荷(3) | 方法 a：I/O 安全測試子組 2/3 后， Vini = VIOTM，tini = 60s； Vpd(m) = 1.2 × VIORM，tm = 10s |
≤5 | pC |
| 方法 a：環(huán)境測試子組 1 后， Vini = VIOTM，tini = 60s； Vpd(m) = 1.3 × VIORM，tm = 10s |
≤5 | |||
| 方法 b：常規(guī)測試時（100% 生產(chǎn)測試）； Vini = 1.2 × VIOTM，tini = 1s； Vpd(m) = 1.5 × VIORM，tm = 1s（方法 b1）或 Vpd(m) = Vini，tm = tini（方法 b2） |
≤5 | |||
| CIO | 勢壘電容，輸入至輸出(4) | VIO = 0.4 x sin(2πft)，f = 1MHz | 1 | pF |
| RIO | 隔離電阻，輸入至輸出(4) | VIO = 500V，TA = 25°C | >1012 | Ω |
| VIO = 500V，100°C ≤ TA ≤ 125°C | >1011 | |||
| VIO = 500V，TS = 150°C | >109 | |||
| 污染等級 | 2 | |||
| 氣候類別 | 40/125/21 | |||
| UL 1577 | ||||
| VISO | 可承受的隔離電壓 | VTEST = VISO = 2500VRMS，t = 60s（鑒定測試）， VTEST = 1.2 × VISO = 3000VRMS，t = 1s（100% 生產(chǎn)測試） |
2500 | VRMS |