ZHCSZ11 October 2025 – November 2025 ISO6463
PRODMIX
| 參數(shù) | 測試條件 | 封裝 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|
| 16-DW | ||||
| IEC 60664-1 | ||||
| CLR | 外部間隙(1) | 1 側(cè)到 2 側(cè)的空間距離 | >8.15 | mm |
| CPG | 外部爬電距離(1) | 1 側(cè)到 2 側(cè)的封裝表面距離 | >8.15 | mm |
| DTI | 絕緣穿透距離 | 最小內(nèi)部間隙 | >17 | μm |
| CTI | 相對漏電起痕指數(shù) | IEC 60112 | >600 | V |
| 材料組 | 符合 IEC 60664-1 | I | ||
| 過壓類別 | 額定市電電壓 ≤ 150VRMS | I-IV | ||
| 額定市電電壓 ≤ 300VRMS | I-IV | |||
| 額定市電電壓 ≤ 600VRMS | I-IV | |||
| 額定市電電壓 ≤ 1000VRMS | I-III | |||
| DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)(2) | ||||
| VIORM | 最大重復(fù)峰值隔離電壓 | 交流電壓（雙極） | 1500 | VPK |
| VIOWM | 最大隔離工作電壓 | 交流電壓（正弦波）；時(shí)間依賴型電介質(zhì)擊穿 (TDDB) 測試。 | 1061 | VRMS |
| 直流電壓 | 1500 | VDC | ||
| VIOTM | 最大瞬態(tài)隔離電壓 | VTEST = VIOTM，t = 60s（鑒定測試）；VTEST = 1.2 × VIOTM，t = 1s（100% 生產(chǎn)測試） | 7071 | VPK |
| qpd | 視在電荷(3) | 方法 a，輸入-輸出安全測試子組 2/3 后，Vini = VIOTM，tini = 60s；Vpd(m) = 1.2 × VIORM，tm = 10s | ≤5 | pC |
| 方法 a，環(huán)境測試子組 1 后，Vini = VIOTM，tini = 60s；Vpd(m) = 1.6 × VIORM（用于增強(qiáng)型器件）或 1.2 × VIORM（用于基本器件），tm = 10s | ≤5 | |||
| 方法 b：常規(guī)測試（100% 生產(chǎn)測試）；Vini = 1.2 × VIOTM，tini = 1s；Vpd(m) = 1.875 × VIORM（用于增強(qiáng)型器件）或 1.5 × VIORM（用于基本器件），tm = 1s（方法 b1）或 Vpd(m) = Vini，tm = tini（方法 b2） | ≤5 | |||
| CIO | 勢壘電容，輸入至輸出(4) | VIO = 0.4 × sin (2 πft)，f = 1MHz | ?1.6 | pF |
| RIO | 隔離電阻，輸入至輸出(4) | VIO = 500V，TA = 25°C | >1012 | Ω |
| VIO = 500V，100°C ≤ TA ≤ 125°C | >1011 | |||
| VIO = 500V，TS = 150°C | >109 | |||
| 污染等級 | 2 | |||
| 氣候類別 | 40/125/21 | |||
| UL 1577 | ||||
| VISO | 可承受的隔離電壓 | VTEST = VISO，t = 60s（鑒定測試）；VTEST = 1.2 × VISO，t = 1s（100% 生產(chǎn)測試） | 5000 | VRMS |