ZHCSYS1 August 2025 ISO6420 , ISO6421
ADVANCE INFORMATION
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VOH(OUTx) | OUTx（輸出）高電平輸出電壓 | IOH = -1mA；請(qǐng)參閱節(jié) 7 | VCCO - 0.1 (1) | V | ||
| VOL(OUTx) | OUTx（輸出）低電平輸出電壓 | IOL = 1mA；請(qǐng)參閱節(jié) 7 | 0.1 | |||
| VIT+(INx) | INx（輸入）開(kāi)關(guān)閾值電壓，上升 | 0.7 x VCCI(1) | ||||
| VIT-(INx) | INx（輸入）開(kāi)關(guān)閾值電壓，下降 | 0.3 x VCCI | ||||
| VI_HYS(INx) | INx（輸入）開(kāi)關(guān)閾值電壓遲滯 | 0.1 x VCCI | ||||
| II(INx) | INx（輸入）輸入電流（默認(rèn)為高電平器件） | 高輸入電流： 在 INx 時(shí)（泄露電流），VIH = VCCI (1) | 1 | μA | ||
| 低輸入電流： 在 INx 時(shí)（漏電流和通過(guò)默認(rèn)高上拉電阻的電流），VIL = 0V | -10 | |||||
| INx（輸入）輸入電流（默認(rèn)為低電平器件，帶 F 后綴） | 高輸入電流：在 INx 時(shí)（漏電流和通過(guò)默認(rèn)低電平上拉電阻的電流），VIH = VCCI (1) | 10 | ||||
| 低輸入電流：在 INx 時(shí)（泄露電流），VIL = 0V | -1 | |||||
| CMTI_R | 共模瞬態(tài)抗擾度、增強(qiáng)型隔離器件（DWV 封裝） | VI = VCC 或 0V，VCM = 1200V；請(qǐng)參閱節(jié) 7 | 250 | kV/μs | ||
| CMTI_B | 共模瞬態(tài)抗擾度，器件額定為基礎(chǔ)隔離（D 封裝） | VI = VCC 或 0V，VCM = 1200V；請(qǐng)參閱節(jié) 7 | 125 | kV/μs | ||
| Ci | 輸入電容 (2) | VI = VCC/2 + 0.4×sin(2πft)，f = 2MHz，VCC = 2.5V | 1.5 | pF | ||