ZHCSSZ2J May 2008 – August 2023 ISO3080 , ISO3082 , ISO3086 , ISO3088
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數(shù) | 測試條件 | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|
| DW-16 | ||||
| CLR | 外部間隙(1) | 端子間的最短空間距離 | 8 | mm |
| CPG | 外部爬電距離(1) | 端子間的最短封裝表面距離 | 8 | mm |
| DTI | 絕緣穿透距離 | 最小內(nèi)部間隙 | 8 | um |
| CTI | 相對漏電起痕指數(shù) | DIN EN 60112 (VDE 0303-11)；IEC 60112 | >400 | V |
| 材料組別 | 符合 IEC 60664-1 | II | ||
| 過壓類別（符合 IEC 60664-1） | 額定市電電壓 ≤ 150VRMS | I-IV | ||
| 額定市電電壓 ≤ 300VRMS | I-III | |||
| DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) (2) | ||||
| VIORM | 最大重復(fù)峰值隔離電壓 | 交流電壓（雙極） | 560 | VPK |
| VIOTM | 最大瞬態(tài)隔離電壓 | VTEST = VIOTM， t = 60s（鑒定測試）； VTEST = 1.2 × VIOTM， t = 1s（100% 生產(chǎn)測試） |
4000 | VPK |
| qpd | 視在電荷(3) | 方法 b；常規(guī)測試（100% 生產(chǎn)測試） Vini = 1.2 x VIOTM，tini = 1s； Vpd(m) = 1.5 x VIORM，tm = 1s |
≤5 | pC |
| CIO | 勢壘電容，輸入至輸出(4) | VIO = 0.4 x sin(2πft)，f = 1MHz | 2 | pF |
| CI | 接地輸入電容 | VI = VCC/2 + 0.4×sin(2πft)，f = 1MHz，VCC = 5V | 2 | pF |
| RIO | 隔離電阻(4) | VIO = 500V，TA = 25°C | >1012 | Ω |
| VIO = 500V，TS = 150°C | >109 | |||
| 污染等級 | 2 | |||
| 氣候類別 | 40/125/21 | |||
| UL 1577 | ||||
| VISO | 最大耐受隔離電壓 | VTEST = VISO，t = 60s（鑒定測試）， VTEST = 1.2 x VISO，t = 1s（100% 生產(chǎn)測試） |
2500 | VRMS |