4 Revision History
Changes from Revision B (December 2016) to Revision C (January 2021)
- 注：采用 MicroStar Jr. BGA 封裝的器件采用層壓 nFBGA 封裝進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)。這種 nFBGA 封裝提供了類似于數(shù)據(jù)表中的電氣性能。該封裝占用空間也類似于 MicroStar Jr. BGA。將在整個(gè)數(shù)據(jù)表中更新全新封裝標(biāo)識符來代替已停止使用的封裝標(biāo)識符。Go
- 將 u*jr BGA 更改為 nFBGAGo
- Changed ZQE to ZXHGo
- Changed u*jr ZQE to nFBGA ZXH. Updated thermal data.Go
- Changed u*jr BGA to nFBGAGo
Changes from Revision A (September 2013) to Revision B (December 2016)
- 添加了器件信息 表、ESD 等級 表、特性說明 部分、器件功能模式 部分、應(yīng)用和實(shí)施 部分、電源相關(guān)建議 部分、布局 部分、器件和文檔支持 部分以及機(jī)械、封裝和可訂購信息 部分Go
- Added A2 to J4 row in Pin Functions tableGo
Changes from Revision * (September 2013) to Revision A (September 2013)
- Deleted Ordering InformationGo