ZHCSY10 March 2025 ESD562-Q1
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VRWM | 反向關(guān)斷電壓 | IIO <50nA | -12 | 12 | V | |
| ILEAK | VRWM 下的漏電流 | VIO = ±12V，I/O 至 GND | 10 | 50 | nA | |
| VBR | 擊穿電壓，I/O 至 GND (1) | IIO = ±1mA | 13.3 | V | ||
| VCLAMP | 浪涌鉗位電壓，tp = 8/20μs (2) | IPP = ±1A，I/O 至 GND | 18 | V | ||
| IPP = ±3A，I/O 至 GND | 25 | V | ||||
| TLP 鉗位電壓，tp = 100ns(3) | IPP = 16A (100ns TLP)，I/O 至 GND | 23 | V | |||
| IPP = 16A (100ns TLP)，GND 至 I/O | 23 | V | ||||
| CLINE | 輸入電容，IO 至 GND | VIO = 0V，f = 1MHz | 1.5 | pF | ||