ZHCSWC4C May 2024 – February 2025 DRV8161 , DRV8162
PRODUCTION DATA
DRV816x 系列器件集成了高側(cè)和低側(cè) FET 柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng) N 溝道功率 MOSFET。自舉柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)會(huì)在 PWM 開(kāi)關(guān)期間生成高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器電壓。GVDD 引腳可同時(shí)為高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器供電,并為 FET 設(shè)置 VGS 電壓。
DRV816x 器件支持半橋功率級(jí)架構(gòu)。除了常規(guī)的 2 引腳 PWM、1 引腳 PWM 控制接口外,該器件還通過(guò)禁用擊穿保護(hù)并允許單獨(dú)控制高側(cè)和低側(cè) FET 來(lái)提供獨(dú)立的 PWM 模式。在驅(qū)動(dòng)電磁閥和開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)時(shí),獨(dú)立 FET 控制非常有用。DRV8162 和 DRV8162L 具有單獨(dú)的電源引腳(GVDD 和 GVDD_LS),可用于高側(cè)和低側(cè) FET 柵極驅(qū)動(dòng)器。通過(guò)向柵極驅(qū)動(dòng)電源引腳添加外部電源開(kāi)關(guān),系統(tǒng)可支持安全轉(zhuǎn)矩關(guān)閉 (STO) 功能。