ZHCSBO3F October 2013 – January 2022 CSD25483F4
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
此 210mΩ、20V P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過設(shè)計(jì)和優(yōu)化，能夠最大限度地減小在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中占用的空間。這項(xiàng)技術(shù)能夠在替代標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào) MOSFET 的同時(shí)將封裝尺寸減小至少 60%。
| TA = 25°C | 典型值 | 單位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | -20 | V | |
| Qg | 柵極電荷總量 (-4.5V) | 959 | pC | |
| Qgd | 柵極電荷（柵漏極） | 161 | pC | |
| RDS(on) | 漏源導(dǎo)通電阻 | VGS = -1.8V | 530 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 338 | mΩ | ||
| VGS = -4.5V | 210 | mΩ | ||
| VGS(th) | 閾值電壓 | -0.95 | V | |
| 器件 | 數(shù)量 | 介質(zhì) | 封裝 | 配送 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25483F4 | 3000 | 7 英寸卷帶 | Femto (0402) 1.0mm × 0.6mm 基板柵格陣列 (LGA) | 卷帶包裝 |
| CSD25483F4T | 250 |
| TA = 25°C | 值 | 單位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | -20 | V |
| VGS | 柵源電壓 | –12 | V |
| ID | 持續(xù)漏極電流(1) | -1.6 | A |
| IDM | 脈沖漏極電流(2) | -6.5 | A |
| IG | 持續(xù)柵極鉗位電流 | -35 | mA |
| 脈沖柵極鉗位電流(2) | -350 | ||
| PD | 功率耗散(1) | 500 | mW |
| V(ESD) | 人體放電模型 (HBM) | 4 | kV |
| 充電器件模型 (CDM) | 2 | kV | |
| TJ、 Tstg |
運(yùn)行結(jié)溫和 貯存溫度范圍 |
-55 至 150 | °C |