ZHCSU32 December 2023 BQ25750
PRODUCTION DATA
該器件集成了所有環(huán)路補(bǔ)償功能，因此可提供易于使用的高密度解決方案。啟動(dòng)時(shí)，該器件會(huì)切換 SW 節(jié)點(diǎn)約 40ms，以確定給定的一組無源器件的正確補(bǔ)償值。如果電池高于 VBAT_LOWV，則切換 SW2。否則會(huì)切換 SW1。
充電器采用同步降壓/升壓轉(zhuǎn)換器，這允許從多種輸入電壓源進(jìn)行充電。充電器以降壓、降壓/升壓或升壓模式運(yùn)行。轉(zhuǎn)換器可跨三種工作模式不間斷地連續(xù)運(yùn)行。在降壓/升壓模式期間，轉(zhuǎn)換器交替使用 SW1 脈沖和 SW2 脈沖，有效開關(guān)頻率在這些脈沖之間交錯(cuò)，以實(shí)現(xiàn)最高效率運(yùn)行。
在升壓模式運(yùn)行期間，HS FET 在每個(gè)開關(guān)周期中被強(qiáng)制開啟 225ns，以確保將電感器能量傳遞到輸出，從而有效限制最大升壓比。例如，當(dāng)器件配置為以 500kHz 的頻率開關(guān)時(shí)，開關(guān)周期為 2μs，產(chǎn)生的占空比限制為 (1 - 0.225μs/2μs) = 88.75%。假設(shè)效率為 100%，給定 5V 輸入，這將轉(zhuǎn)換為最大 44V 輸出。真實(shí)輸出將低于該理想限制。在較低的開關(guān)頻率下，最大占空比會(huì)增加，從而使限制變得不那么重要。
| MODE | BUCK | BUCK-BOOST | 升壓 |
|---|---|---|---|
| HS 降壓 FET | 以 fSW 頻率進(jìn)行開關(guān) | 開關(guān)（fSW 在 SW1 和 SW2 之間交錯(cuò)） | 打開 |
| LS 降壓 FET | 以 fSW 頻率進(jìn)行開關(guān) | 開關(guān)（fSW 在 SW1 和 SW2 之間交錯(cuò)） | OFF |
| LS 升壓 FET | OFF | 開關(guān)（fSW 在 SW1 和 SW2 之間交錯(cuò)） | 以 fSW 頻率進(jìn)行開關(guān) |
| HS 升壓 FET | 打開 | 開關(guān)（fSW 在 SW1 和 SW2 之間交錯(cuò)） | 以 fSW 頻率進(jìn)行開關(guān) |