設(shè)計(jì)工具
數(shù)據(jù)表
ISO5851
- 在 V CM = 1500V 時(shí)，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 的最小值為 100kV/μs
- 2.5A 峰值拉電流和 5A 峰值灌電流
- 短傳播延遲：76ns（典型值）， 110ns（最大值）
- 2A 有源米勒鉗位
- 輸出短路鉗位
- 在檢測(cè)到去飽和故障時(shí)通過(guò) FLT 發(fā)出故障報(bào)警并通過(guò) RST 復(fù)位
- 具有就緒 (RDY) 引腳指示的輸入和輸出欠壓鎖定 (UVLO)
- 有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認(rèn)輸出低電平
- 3V 至 5.5V 輸入電源電壓
- 15V 至 30V 輸出驅(qū)動(dòng)器電源電壓
- 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 兼容輸入
- 抑制短于 20ns 的輸入脈沖和瞬態(tài)噪聲
- 工作溫度：–40°C 至 +125°C（環(huán)境溫度）
- 可承受的隔離浪涌電壓 12800V PK
- 安全相關(guān)認(rèn)證：
- 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 標(biāo)準(zhǔn)的 8000 V PK V IOTM 和 2121 V PK V IORM 增強(qiáng)型隔離
- 符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)且長(zhǎng)達(dá) 1 分鐘的 5700 V RMS 隔離
- CSA 組件驗(yàn)收通知 5A，IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 終端設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)
- 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 標(biāo)準(zhǔn)的 TUV 認(rèn)證
- 經(jīng) GB4943.1-2011 CQC 認(rèn)證
ISO5851 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kV RMS 增強(qiáng)型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 2.5A 的拉電流能力和 5A 的灌電流能力。輸入端由 3V 至 5.5V 的單電源供電運(yùn)行。輸出側(cè)支持的電源電壓范圍為 15V 至 30V。兩路互補(bǔ) CMOS 輸入控制柵極驅(qū)動(dòng)器輸出狀態(tài)。76ns 的短暫傳播時(shí)間保證了對(duì)于輸出級(jí)的精確控制。
內(nèi)置的去飽和 (DESAT) 故障檢測(cè)功能可識(shí)別 IGBT 何時(shí)處于過(guò)載狀態(tài)。當(dāng)檢測(cè)到 DESAT 時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)器輸出會(huì)被拉低為 V EE2 電勢(shì)，從而將 IGBT 立即關(guān)斷。
當(dāng)發(fā)生去飽和故障時(shí)，器件會(huì)通過(guò)隔離隔柵發(fā)送故障信號(hào)，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。 FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存，可通過(guò) RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。
如果在由雙極輸出電源供電的正常運(yùn)行期間關(guān)斷 IGBT，輸出電壓會(huì)被硬鉗位為 V EE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會(huì)在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動(dòng)態(tài)導(dǎo)通。
當(dāng)發(fā)生去飽和故障時(shí)，器件會(huì)通過(guò)隔離隔柵發(fā)送故障信號(hào)，以將輸入端的 FLT 輸出拉為低電平并阻斷隔離器的輸入。 FLT 的輸出狀態(tài)將被鎖存，可通過(guò) RST 輸入上的低電平有效脈沖復(fù)位。
如果在由雙極輸出電源供電的正常運(yùn)行期間關(guān)斷 IGBT，輸出電壓會(huì)被硬鉗位為 V EE2。如果輸出電源為單極，那么可采用有源米勒鉗位，這種鉗位會(huì)在一條低阻抗路徑上灌入米勒電流，從而防止 IGBT 在高電壓瞬態(tài)條件下發(fā)生動(dòng)態(tài)導(dǎo)通。
柵極驅(qū)動(dòng)器是否準(zhǔn)備就緒待運(yùn)行由兩個(gè)欠壓鎖定電路控制，這兩個(gè)電路會(huì)監(jiān)視輸入端和輸出端的電源。如果任意一端電源不足，RDY 輸出會(huì)變?yōu)榈碗娖?；否則，該輸出為高電平。
ISO5851 采用 16 引腳小外形尺寸集成電路 (SOIC) 封裝。此器件的額定工作環(huán)境溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。
技術(shù)文檔
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評(píng)估板
ISO5851EVM — ISO5851 評(píng)估模塊 (EVM)
該評(píng)估模塊采用 ISO5851 增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器器件，可讓設(shè)計(jì)人員通過(guò)預(yù)填充的 1-nF 負(fù)載或采用標(biāo)準(zhǔn) TO-247 或 TO-220 封裝的用戶安裝型 IGBT 來(lái)評(píng)估器件的交流和直流性能。
用戶指南: PDF
模擬工具
PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具
PSpice? for TI 可提供幫助評(píng)估模擬電路功能的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計(jì)和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費(fèi)使用，包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫(kù)之一，涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。
借助?PSpice for TI 的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境及其內(nèi)置的模型庫(kù)，您可對(duì)復(fù)雜的混合信號(hào)設(shè)計(jì)進(jìn)行仿真。創(chuàng)建完整的終端設(shè)備設(shè)計(jì)和原型解決方案，然后再進(jìn)行布局和制造，可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間并降低開(kāi)發(fā)成本。?
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參考設(shè)計(jì)
TIDA-00446 — 適用于三相逆變器的小外形增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)
TIDA-00446 參考設(shè)計(jì)包含六個(gè)增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器以及專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)器電源。此緊湊型參考設(shè)計(jì)旨在控制諸如交流驅(qū)動(dòng)器、不間斷電源 (UPS) 和太陽(yáng)能逆變器等三相逆變器中的 IGBT。此設(shè)計(jì)使用具有 DESAT 功能和內(nèi)置米勒鉗位保護(hù)的增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器，支持將單極電源電壓用于柵極驅(qū)動(dòng)器。每個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器的基于開(kāi)環(huán)推挽式拓?fù)涞碾娫词?PCB 布線具有靈活性。在 TIDA-00446 中使用的推挽式變壓器驅(qū)動(dòng)器以 420 khz 的頻率運(yùn)行，這有助于減小隔離變壓器的尺寸，從而實(shí)現(xiàn)緊湊的電源解決方案。柵極驅(qū)動(dòng)器電源可予以禁用，從而促進(jìn)安全扭矩切斷 (STO) 功能。
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOIC (DW) | 16 | Ultra Librarian |
訂購(gòu)和質(zhì)量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件標(biāo)識(shí)
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
- MTBF/時(shí)基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
- 制造廠地點(diǎn)
- 封裝廠地點(diǎn)
推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關(guān)的參數(shù)、評(píng)估模塊或參考設(shè)計(jì)。